4 月 24 日消息，據(jù)韓媒 ETNews 報(bào)道，三星電子正探索將混合鍵合技術(shù)用于邏輯芯片，最早 2026 年推出采用 3D 封裝的 2nm 移動(dòng)端處理器。
注：混合鍵合技術(shù)是一種無(wú)凸塊（焊球）的直接銅對(duì)銅鍵合技術(shù)。相較采用凸塊的傳統(tǒng)鍵合技術(shù)，混合鍵合可降低上下層芯片間距，提升芯片之間的電信號(hào)傳輸性能，增加 IO 通道數(shù)量。
混合鍵合已在 3D NAND 閃存中使用，未來(lái)即將用于 HBM4 內(nèi)存。新項(xiàng)目將是三星首次嘗試在邏輯芯片中應(yīng)用這一鍵合技術(shù)。
報(bào)道指，三星目前將 2026 年下半年設(shè)定為 3D 移動(dòng)處理器的量產(chǎn)時(shí)間，目標(biāo)到時(shí)將每個(gè) IO 端子之間的間距降低至 2 微米，進(jìn)一步提升 IO 數(shù)量。
為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，三星電子的代工和先進(jìn)封裝部門(mén)已在進(jìn)行合作。
目前尚不清楚混合鍵合 3D 移動(dòng)處理器將在三星自身產(chǎn)品還是代工項(xiàng)目上首發(fā)。未來(lái)這一技術(shù)有望擴(kuò)展到 HPC 芯片等其他邏輯半導(dǎo)體領(lǐng)域。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無(wú)法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問(wèn)題，請(qǐng)及時(shí)通過(guò)電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當(dāng)措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。