隨著尺寸的不斷微縮，1T1C結(jié)構(gòu)動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）的存儲電容限制問題愈發(fā)顯著，導(dǎo)致傳統(tǒng)1T1C-DRAM面臨微縮瓶頸。基于銦鎵鋅氧（IGZO）晶體管的2T0C-DRAM有望突破1T1C-DRAM的微縮瓶頸，在3D DRAM方面發(fā)揮更大的優(yōu)勢。但目前的研究工作都基于平面結(jié)構(gòu)的IGZO器件，形成的2T0C單元尺寸（大約20F2）比相同特征尺寸下的1T1C單元尺寸（6F2）大很多，使IGZO-DRAM缺少密度優(yōu)勢。
針對平面結(jié)構(gòu)IGZO-DRAM的密度問題，中科院微電子所微電子重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室劉明院士團(tuán)隊(duì)在垂直環(huán)形溝道結(jié)構(gòu)（Channel-All-Around, CAA）IGZO FET 的基礎(chǔ)上，研究了第二層器件堆疊前層間介質(zhì)層工藝的影響，驗(yàn)證了CAA IGZO FET在2T0C DARM應(yīng)用中的可靠性。經(jīng)過優(yōu)化后的IGZO FET表現(xiàn)出優(yōu)秀的可靠性，經(jīng)過10000秒柵極偏壓應(yīng)力穩(wěn)定性測試后（包括正偏壓與負(fù)偏壓條件），閾值電壓漂移小于25mV，進(jìn)行1012次寫入擦除操作后沒有表現(xiàn)出性能劣化。該研究成果有助于推動實(shí)現(xiàn)4F2 IGZO 2T0C-DRAM單元。
更多信息可以來這里獲取==>>電子技術(shù)應(yīng)用-AET<<
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當(dāng)措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。