目前網(wǎng)絡(luò)有一種聲音，那就是我們必須自研出EUV光刻機，只要自研出EUV光刻機，ASML和美國就卡不住我們的脖子了，芯片就再也不用愁了。

但真的自研出EUV光刻機，我們就能夠制造出7nm芯片了么？在我看來，僅靠EUV光刻機，是遠遠不夠的，還差得遠呢。

芯片制造是一個非常復(fù)雜的流程，涉及到幾十種設(shè)備，上百道工序，主要可以分為單晶硅片制造、前道工序、后道工序這三部分。

單晶硅片涉及到各種半導(dǎo)體材料，目前國內(nèi)整體半導(dǎo)體材料的自給率不足20％，特別是14nm以下的半導(dǎo)體材料自給率就更低，高度依賴國外進口。

而前道工序更是重點，有至少8個工序，分別是擴散、薄膜沉積、光刻、刻蝕、離子注入、CMP拋光、金屬化、測試。

而這里也要用到各種設(shè)備，眾多的材料，光刻機只是其中的一種設(shè)備，這些設(shè)備大多和光刻機一樣，是有精度要求的，分別要求達到7nm。

還有一些材料，也需要達到7nm，比如光刻膠，7nm及以下芯片制造需要的是EUV光刻膠，但我們自給率為0。

后道工序，這里主要涉及到的是封測，相對要求會低一些，但也是有工藝精度要求的。

綜合起來看，要想芯片制造水平達到7nm，需要EDA支持7nm，半導(dǎo)體材料也是支持7nm，半導(dǎo)體設(shè)備也支持7nm……

而EUV光刻機只是其中的一種設(shè)備，就算我們突破了，美國或其它國家一樣能夠在其它設(shè)備、材料上卡住我們，因為目前國產(chǎn)的半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體設(shè)備，很多在28nm甚至更成熟的工藝，達到7nm的少之又少。

目前僅是EUV光刻機卡得最為明顯，卡得最為關(guān)鍵，最為大家所知而已，并不意味著其它設(shè)備或材料不卡了，一旦EUV光刻機我們有了，美國在其它設(shè)備或材料上就會卡住我們的。

要想真正不受限的制造出7nm芯片，我們需要的是整個產(chǎn)業(yè)鏈崛起，達到7nm才行的，所以現(xiàn)在真不必急著進入7nm，并且也進入不了。

按照機構(gòu)的數(shù)據(jù)，2022年28nm及以下的芯片占全球所有芯片的比例還高達75％＋，所以我們現(xiàn)在的重點不是先進工藝，而是全產(chǎn)業(yè)的國產(chǎn)化率，同時提升產(chǎn)能，先滿足國內(nèi)成熟工藝的需求，先解決了這些問題，再向先進工藝前進，這樣才走得穩(wěn)健。

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