又一巨頭入局第三代半導體產業了。
9月8日，宏光半導體（6908.HK）發布公告稱，經過董事會同意，公司于9月7日與協鑫集團正式簽訂了戰略合作框架協議，擬于氮化鎵（GaN）功率芯片在新能源領域的應用開展密切合作。9月30日，宏光半導體與協鑫科技創辦人朱共山正式簽定股份及認股權證認購協議，標志著朱共山成為宏光半導體主要戰略股東。
值得注意的是，作為協鑫科技的創辦人，朱共山冠有“一代硅王”、“民營電王”、“新能源之王”等美譽，在中國乃至全球新能源行業的“話語權”和影響力早已眾所周知。當前，第三代半導體產業發展得如火如荼，多家半導體企業開始積極布局第三代半導體產業，相關企業股價也隨即走高。
此時與宏光半導體合作，是協鑫集團趕乘第三代半導體風口，搶占未來的一步先手棋。朱共山此舉背后，有何深意？
01
強強聯合，寄望破局
資料顯示，宏光半導體成立于2010年，前身為宏光照明控股有限公司，其主要產品包括LED燈珠、GaN芯片、GaN器件和相關GaN應用產品，以及快速充電產品。
朱共山先生是協鑫集團創始人及董事長。截至目前，協鑫集團資產規模近2,000億元，年度營業收入連續多年超1,000億元，旗下擁有協鑫科技、協鑫集成、協鑫新能源、協鑫能科等多家A股及H股上市公司。
根據戰略合作框架協議，宏光半導體和協鑫集團計劃成立合資子公司，就GaN功率芯片在新能源領域的應用開展密切合作，共同探索GaN技術在充電、換電、儲能和光伏逆變器等眾多領域的應用，開發基于硅基功率芯片及第三代半導體的應用產品，攜手進入新能源產業供應鏈市場。
戰略合作框架協議，圖源：宏光半導體官網
針對此次合作，宏光半導體表示，繼認購股份后，集團獲得朱共山先生之家族信托訂立戰略合作框架協議，進一步深化雙方合作關系，充分體現了朱先生對宏光半導體發展第三代半導體業務的重視，并對集團的發展報以充分信心，相信能在合作中實現積極創新及互利共贏。
02
研發投入不斷上升
加碼布局GaN產業鏈
“世界硅王”慧眼識金，宏光半導體必有其過人之處。近年來，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體材料迎來市場倍增與產能擴張，宏光半導體對此的重視程度，亦可從其中期業績報告窺見一斑。
2022年8月，宏光半導體所發布的中期業績資料顯示，由于上半年市場大環境逆風，加上公司仍處于第三代半導體的投入階段，因此尚未實現盈利。但值得關注的是，該企業已經成功實現戰略轉型，將業務擴展至第三代半導體芯片設計制造及系統應用解決方案等領域。
達成多方戰略合作，共建GaN生態體系
回望過去一年，宏光半導體在第三代半導體領域動作頻頻：不僅收購了主要從事快速電池充電系統解決方案研發的GSR GO Holding Cooperation，還投資了專注高電壓新能源汽車領域的以色列GaN相關產品開發商VisIC Technologies Ltd，以及專注民用產品領域的加拿大GaN技術領導者GaN Systems Inc。
此外，宏光半導體還與中國泰坦、GUH Holdings Berhad、科通芯城集團、羅馬仕、鴻智電通等多家企業訂立了戰略及框架合作協議，以加快GaN的密集研發與技術應用。
種種舉動表明，宏光半導體試圖通過戰略投資控股及建立互利共贏的戰略合作關系，來獲得合作方在半導體上的專業技術支持及授權，從而間接提高公司產品自身的創新生產制造能力。
研發+人才雙管齊下，構筑企業護城河
在研發投入方面，宏光半導體已在深圳設立研發中心，用于加強材料和器件的設計、制作。2021年，宏光半導體廠房落地徐州，擬在工廠內安裝兩條用作生產包括GaN相關產品在內的電子產品生產線，預計將于2024年初前開始投產。
今年上半年，宏光半導體把更多資金投入到第三代半導體領域。據中期業績報告顯示，其研發成本按年大幅增長4.6倍至1,690萬元。除了去年獲取六項關于充電站的快速充電蓄電池系統、充電轉換系統及充電模塊以及適用于電動汽車充電站的快速充電設備的專利外，宏光半導體今年上半年亦申請注冊五個發明專利、一個實用新型以及一個外觀專利。
除了大規模投入自主研發，宏光還積極招攬人才收歸麾下，持續實現科技創新。其生產管理團隊包括GaN半導體業務核心專家陳振博士、GaN HEMT器件設計和工藝制造核心專家Thomas Hu博士、以及半導體行業及晶圓代工技術及管理方面均具有豐富經驗的呂瑞霖先生和閔軍輝先生等。這些科研團隊專家無一不是GaN與半導體領域的佼佼者。研發團隊陣容之豪華，為宏光以GaN領域為核心的第三代半導體布局上緊“保險栓”。
由此可見，在充滿不確定的烏卡時代下，宏光半導體正從強化科技研發積極布局，不斷增強品牌硬件實力，在第三代半導體的建設道路跑出加速度。
前瞻布局第三代半導體，步入研發收成期
在緊鑼密鼓多維戰略投資后，宏光半導體即將迎來第一波收成：
今年下半年，企業計劃與戰略合作伙伴合作推出快充充電器、充電樁等快充產品，并開始實現收入貢獻，長遠有望成為主要收入增長動力之一。
芯片研發方面，企業預計今年年底前將有半成品外延片產出，明年第二季芯片開始試產，明年第四季開始集中正式投產。而在2024年，陸續開始制造芯片。
盡管芯片業務在今年內未能入賬，但預計自2023年開始提供收入貢獻，2023年/2024年的收入將分別按年增長150%/330%至分別2.68 億元/11.53億元。
03
深挖戰略紅利
發揮協同效應
近期，美國拜登政府簽署《芯片與科學法案》，后繼出臺一系列限制令，在這一政策影響下，我國芯片自主可控的必要性和緊迫性或將提升至國家重點戰略層面，促使我國半導體產業更加自立自強，加速國產替代和自主創新，為芯片半導體板塊提供長期且強有力的支持。
從發展角度來看，我國在第三代半導體領域與國際先進技術的差距較小，且新能源產業國際領先，有廣泛的第三代半導體應用市場，因此這一賽道也被普遍認為是中國在半導體領域“彎道超車”的重要機會。上至《中國制造2025》和“十四五”國家研發計劃，下至地方布局規劃，無不體現出第三代半導體受到了國家的高度重視。
中國第三代半導體材料相關政策，圖源：DeepTech
第三代半導體材料本身具備高頻、高效、節能等特性。因而在新能源車、光伏、風電、5G通信等領域，都有著很大應用潛力。
盡管半導體行業處于逆周期，但800V汽車電驅系統、高壓快充樁、消費電子適配器、數據中心及通訊基站電源等細分市場的快速發展，推升了第三代功率半導體的市場需求。其中，市調機構和業內人士對第三代半導體GaN的發展前景頗為看好。
近幾年來，全球GaN產業規模呈現爆發式增長。據分析機構Yole Développement數據顯示，2021年全球GaN功率器件市場規模為1.26億美元，受消費類電子、電信及數據通信、電動汽車應用的驅動，預計到2027年增長至20億美元，復合年均增長率為59%。
據前瞻產業研究院預測，全球GaN元件市場規模預計2026年將增長到423億美元，年均復合增長率約為13.5%。雖然GaN還處于起步階段，但其高功率、輕體積的優勢將會逐步顯現，全球GaN市場規模與材料滲透率有望持續上升。
業內人士指出，GaN能夠在高頻條件下工作并保持高性能、高效率，與以前使用的硅晶體管相比，具有更低的損耗，是一種已經投入使用的半導體材料，先前已廣泛應用于LED照明領域和日益重要的無線領域中。隨著工藝進步和故障率的降低，GaN在交流與直流電源轉換、電平轉換等應用上發揮了很多優勢，正在推動著高效電源轉換時代的來臨，在細分領域市場占有一席之地。
GaN應用場景，圖源：安信證券研究中心
結合宏光半導體全速加碼在GaN產業鏈上的布局，也能明顯看出其打算在GaN領域深度發展的決心。憑借其前身“宏光照明”在LED制造方面的專業能力及研發經驗，宏光半導體正遷移落實至第三代半導體GaN的業務轉型，期冀未來能夠實現國有替代技術突圍，放大半導體“新黑馬”的輻射效應。
此外，著名投資人趙國雄、朱共山的先后投資入股，亦為宏光提供了強有力的站臺后盾，有利于釋放資源整合新潛能。
作為李嘉誠旗下長實集團的現任執董和其最為倚重的大將之一，趙國雄于今年7月將宏光的持股比例由4.88%增至5.15%，足以見其對第三代半導體背后巨大商機的肯定。
而世界光伏領軍企業協鑫集團創辦人朱共山的加持，不僅能夠提升宏光半導體的行業知名度與影響力，還能以自身新能源行業龍頭地位，為其在徐州布設的半導體生產廠房提供資源平臺與技術協同，實現建鏈補鏈強鏈。
由此可見，宏光半導體布局手機快充、汽車充電、儲能和新能源等應用市場，實是洞見轉型趨勢，順勢謀變，加速向前。
04
擴能延鏈，未來可期
眾所周知，我國已成為新能源汽車最大的生產國和全球最大的新能源汽車市場，光伏和風電裝機量規模也均是世界第一。發展第三代半導體產業，對于一個能源大國而言，不僅僅在于行業規模和產值，其提升效率、節約能耗的特性，同樣可以創造出巨大的社會價值。
伴隨著政府的利好政策驅動、廣泛的下游應用市場和國產替代機遇，在“雙碳”目標的加持下，國產第三代半導體正迎來難得的發展機遇。
宏光半導體已在第三代半導體這一賽道投入大量資源，即將步入戰略收成期，或將成為國內第三代半導體領域的一匹黑馬，在政策紅利、產業發展、人才助陣、資本加持的多重因素下，有望成為國內首屈一指的集研發、制造、封測及銷售為一體的全產業鏈半導體整合設備生產模式企業。
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