在臺(tái)積電和三星的3nm工藝量產(chǎn)云里霧里的時(shí)候，Intel宣布它的Intel 4工藝也將在今年下半年量產(chǎn)，如此一來(lái)臺(tái)積電和三星的3nm工藝領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)可能成為泡影。

近幾年來(lái)臺(tái)積電和三星幾乎保持著1－2年升級(jí)一代芯片制造工藝的腳步，到如今它們投產(chǎn)的最先進(jìn)工藝已是5nm，而Intel則在去年底才投產(chǎn)10nm；臺(tái)積電和三星在今年下半年量產(chǎn)3nm，而Intel則在今年下半年量產(chǎn)7nm。

從納米工藝的數(shù)字來(lái)看，Intel無(wú)疑已遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于臺(tái)積電和三星，不過(guò)這僅僅是它們?cè)诿矫娴牟町悾欢谛酒圃旃に嚨膶?shí)際性能方面，其實(shí)差距并沒(méi)有如名字那么大，Intel甚至還稍微領(lǐng)先于三星。

對(duì)于芯片制造工藝的性能，去年臺(tái)媒digitimes曾根據(jù)晶體管密度給出了不同的評(píng)論，對(duì)Intel、臺(tái)積電、三星三家芯片制造廠的工藝做了比較，根據(jù)晶體管密度，Intel的10nm工藝達(dá)到1．06億個(gè)晶體管每平方毫米，而臺(tái)積電、三星的7nm工藝才分別為0．97、0．95億個(gè)晶體管每平方毫米。

并且越到后面的先進(jìn)工藝，三者的差距就越大，digitimes認(rèn)為Intel的7nm工藝與臺(tái)積電的5nm工藝相當(dāng)，而三星的5nm工藝則比臺(tái)積電落后四分之一，預(yù)計(jì)三星的3nm工藝晶體管密度才能達(dá)到臺(tái)積電5nm工藝和Intel 7nm工藝水平。

Intel在芯片制造工藝命名上吃了虧，因此Intel新任CEO基辛格上任后也開(kāi)始依照臺(tái)積電和三星的命名規(guī)矩，對(duì)它的芯片制造工藝改名，10nm工藝被改名為Intel 7工藝，7nm工藝則被改名為Intel 4工藝。

目前Intel、臺(tái)積電、三星等在芯片制造工藝上展開(kāi)了激烈的競(jìng)賽，Intel預(yù)計(jì)在今年下半年量產(chǎn)Intel 4工藝后只比臺(tái)積電稍微落后，卻比三星領(lǐng)先，正力爭(zhēng)提前量產(chǎn)Intel 20和Intel 18A工藝，力求在2025年量產(chǎn)Intel 18A工藝反超臺(tái)積電。

臺(tái)積電也不甘示弱，臺(tái)積電加速了它的2nm工藝進(jìn)程，預(yù)計(jì)2024年量產(chǎn)2nm，比原計(jì)劃提前一年；當(dāng)下的3nm工藝研發(fā)團(tuán)隊(duì)立即轉(zhuǎn)入研發(fā)1．4nm工藝，力爭(zhēng)在2025年量產(chǎn)，以保持對(duì)Intel的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

但是Intel背后有美國(guó)的支持，為了支持Intel加速先進(jìn)工藝研發(fā)，目前美國(guó)計(jì)劃將520億美元的芯片補(bǔ)貼優(yōu)先給包括Intel在內(nèi)的美國(guó)企業(yè)，臺(tái)積電和三星順應(yīng)美國(guó)要求后在美國(guó)設(shè)廠卻可能無(wú)法得到這筆補(bǔ)貼；同時(shí)ASML也在美國(guó)的要求下擴(kuò)大它在美國(guó)的工廠，并優(yōu)先將第二代EUV光刻機(jī)交給Intel。

在諸多因素影響下，孤軍奮戰(zhàn)的臺(tái)積電還能否加速2nm、1．4nm工藝研發(fā)就存在疑問(wèn)，面對(duì)種種困難，臺(tái)積電如今已悄悄降低了對(duì)美國(guó)芯片的依賴(lài)度，今年一季度中國(guó)大陸芯片貢獻(xiàn)的營(yíng)收占比達(dá)到了11％，較去年的6％大幅提升，似乎臺(tái)積電認(rèn)識(shí)到了中國(guó)大陸芯片的重要性，希望依靠中國(guó)大陸芯片制衡美國(guó)芯片。