本文來自方正證券研究所2022年4月05日發布的報告《半導體周期處于什么階段？還缺芯嗎？》，欲了解具體內容，請閱讀報告原文，陳杭S1220519110008

國產替代帶來的半導體成長還處于早期階段，國產板塊的空間巨大！

半導體的研究框架分為兩個階段：2018年之前，和2018年之后。

2018年之前，全球包括中國大陸都遵循一個半導體研究框架：基于供需的庫存周期與創新周期的雙波疊加模型。 2018年之后，中國大陸半導體研究的底層邏輯已經發生重大變化，已經脫離了全球傳統框架，決定國內半導體產業發展的主要矛盾已經從供需變成了國產替代。

為此我們提出了半導體研究的三波疊加：

1、短期看：價格周期，又稱為庫存周期，由供給主導，一般為2年左右

2、中期看：創新周期，一般由3～5年的底層創新驅動，比如4G、5G、智能手機、智能電車

3、長期看：國產替代，這是中國半導體公司的最主要矛盾和未來增長的核心驅動力，預計將維持10年左右。

結論是：

一、按照庫存周期律：由于臺積電／三星／Intel都在先進工藝14／7／5在最近兩年投入巨額capex，而以大陸為主的晶圓廠主要擴產在成熟工藝，所以根據供需的匹配關系，后續芯片庫存將陸續出現三個拐點：

1）先進工藝12寸的芯片（14／7／5nm），將在2022年上半年逐步出現緩解，原因是全球巨額CAPEX＋手機／電腦需求疲軟。

2）成熟工藝12寸的芯片（28／45／65nm），將在2022年下半年逐步出現緩解，但是跟智能電車相關需求的拐點會晚半年～1年。

3）成熟工藝8寸的芯片（130／90／mos／IGBT／SiC），將在2023年逐步出現緩解，因為能源革命的需求還處于早期，產能擴充進度因為設備交期延期而延后。 

二、按照創新周期律：2008年～2018年十年的智能手機大周期又分成了3／4G大周期和5G小周期等多個創新周期疊加，目前創新已經由手機轉移到電車為抓手的能源革命，又分為兩個階段：油車電動化＋電車智能化。

 1、電動化：電動化最大的增量是電控，電控中最大壁壘和成本來自于功率半導體。

1）傳統硅基：IGBT和傳統MOS，將持續在中低壓和傳統場景占據主導地位。由于缺芯疊加行業景氣度加速，新能源相關的IGBT和MOSFET將迎來機遇期。

2）碳化硅：SiC將在高壓平臺和高端應用場景發力。外延、襯底、制造、設備、IDM領域都將迎來行業景氣＋國產替代＋份額提升的三重推動。

2、智能化：

1）傳統座艙：本質是手機的衍生，是非實時操作系統在三屏合一趨勢下的場景擴張，傳統SoC廠商將繼續主導座艙市場，目前主要玩家還是集中于海外巨頭。 

2）智能駕駛：本質上全新的異質計算架構，實時操作系統將結合FPGA＋GPU＋ASIC＋CPU異構芯片，共同實現無人駕駛，目前對半導體供需影響還處于早期階段。 

三、按照國產替代：2020年～2030年是我國又一次大級別的產業升級，從傳統的OEM／拼裝／貼牌，到核心半導體元器件的產業轉移，2018年之后的科技封鎖加速了這個過程，國產化逐步深化，分為四個階段：

1）國產1．0：2019年5月，限制華為終端的上游芯片供應，目的是卡住芯片下游成品，直接刺激了對國產模擬芯片、國產射頻芯片、國產存儲芯片、國產CMOS芯片的傾斜采購，這是第一步。

2）國產2．0：2020年9月，限制海思設計的上游晶圓代工鏈，目的是卡住芯片中游代工。由于全球晶圓廠都嚴重依賴美國的半導體設備（PVD、刻蝕機、離子注入機、測試機等），海思只能轉移到備胎代工鏈，直接帶動了中芯國際等國產晶圓廠和封測廠的加速發展。

3）國產3．0：2020年12月，中芯國際進入實體名單，限制的是芯片上游半導體供應鏈，本質是卡住芯片上游設備。想要實現供應鏈安全，必須做到對半導體設備和半導體材料的逐步突破，由于DUV不受美國管轄，此階段的關鍵是針對刻蝕等美系技術的替代。

4）國產4．0：零部件、原材料、EDA／IP，面對繼續的科技封鎖，在半導體前道核心工藝設備／材料的自給化加強的基礎上，會衍生到設備上游零部件和材料上游原材料。

半導體設備：將在2022年實現1－10的放量，優先關注成熟工藝國產化設備（130／90／65／40／28nm）。

芯片材料：將在設備后，接力進行0－1的突破，優先推薦黃光區材料和具備材料上游制備能力的相關公司。

EDA／IP：將登陸資本市場，成為底層硬科技的全新品類。

設備零部件：國產化的縱向推進使得產業地位凸顯，板塊將迎來歷史級的發展窗口。

建議聚焦以國產化為核心的半導體細分板塊：半導體設備、半導體材料和原料、設備零部件、EDA／IP、車規級芯片、FPGA、CPU／GPU等。 

風險提示：1、國產晶圓廠進度低于預期；2、下游需求低于預期；3、國產化上游進度低于預期。