Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited于3月15日宣布推出12Mbit電阻式隨機存取存儲器（ReRAM）——MB85AS12MT。目前可提供評估樣品。

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　　這款新產(chǎn)品是一個非易失性存儲器，具有12Mbit的大存儲密度，封裝尺寸非常小，約為2mm x 3mm。讀取電流也極低，讀取操作期間平均為0.15mA。因此，將MB85AS12MT安裝在頻繁進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取操作的電池供電設(shè)備中，可以最大限度地減少電池消耗。

　　該產(chǎn)品具有封裝尺寸小和讀取電流小的特點，非常適合用于助聽器和智能手表等可穿戴設(shè)備。

　　圖1：MB85AS12MT封裝（頂部和底部）

　　圖2：ReRAM使用實例

　　MB85AS12MT可在1.6V至3.6V的寬電源電壓范圍內(nèi)工作。新的ReRAM產(chǎn)品的存儲密度是現(xiàn)有8Mbit ReRAM的1.5倍，但二者封裝尺寸都是WL-CSP（晶圓級芯片尺寸封裝）且引腳分配也一樣。新產(chǎn)品可在小封裝尺寸中存儲大約90頁報紙的字符數(shù)據(jù)。

　　MB85AS12MT使用的WL-CSP與經(jīng)常用于具有串行外設(shè)接口（SPI）的存儲器件的8針SOP相比，可以節(jié)省約80%的安裝面積。

　　圖3：安裝面積比較

　　憑借上述功能，這款ReRAM產(chǎn)品可以解決開發(fā)可穿戴設(shè)備時使用閃存或EEPROM所產(chǎn)生的以下問題。

　　圖4：客戶問題和解決方案：

　　Fujitsu Semiconductor Memory Solution將繼續(xù)開發(fā)各種低功耗存儲器產(chǎn)品，以滿足客戶的要求。

　　關(guān)于Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited

　　Fujitsu Semiconductor Memory Solution專注于提供高質(zhì)量和高可靠性的非易失性存儲器，如鐵電隨機存儲器（FRAM）和電阻式隨機存取存儲器（ReRAM）。公司總部位于橫濱，于2020年3月31日成立，是Fujitsu Semiconductor Limited的子公司。公司擁有全球銷售和開發(fā)網(wǎng)絡(luò)，在日本乃至整個亞洲、歐洲和美洲都設(shè)有工廠，旨在向全球市場提供半導(dǎo)體存儲器解決方案。

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