電子元件工業(yè)聯(lián)合會（JEDEC）剛剛正式發(fā)布了 HBM3 高帶寬內(nèi)存標準，可知其較現(xiàn)有的 HBM2 和 HBM2e 標準再次迎來了巨大的提升。JEDEC 官方新聞稿寫道，JESD238 為新一代 HBM3 動態(tài)隨機存儲器指定了發(fā)展方向。除了 6.4 Gb/s 速率 @ 819 GB/s 的帶寬，它還支持 16-Hi 堆棧 @ 64GB 容量。
（來自：JEDEC 官網(wǎng)）
據(jù)悉，HBM3 運用了創(chuàng)新方案，旨在帶來更高帶寬、更低功耗、以及更密集的單位容量，能夠極大推動圖形處理、高性能計算和服務器等領(lǐng)域的使用體驗。
以下是 HBM3 的主要特點：
● 在經(jīng)過驗證的 HBM2 架構(gòu)的基礎(chǔ)上進一步擴展帶寬，將每個引腳的速率提升一倍（定義 6.4 GB/s），以實現(xiàn) 819 GB/s 的高帶寬。
● 將獨立通道數(shù)從 HBM2 時代的 8 個提升至 16 個，且每個通道都有兩組“偽通道”（Pseudo Channels），意味 HBM3 可虛擬支持 32 通道。
● 支持 4-Hi、8-Hi、12-Hi 的硅通孔（TSV）堆棧，并為將來的 16-Hi 方案實現(xiàn)做好了準備。
● 支持每層 8~32 Gb 的容量密度，可輕松支持 4GB（8Gb 4-Hi）到 64GB（32Gb 16-Hi）設備密度，預計初代產(chǎn)品將基于 16Gb 存儲層。
● 為滿足市場對高平臺層級的可靠性、可用性與可維護性（簡稱 RAS）需求，HBM3 還一如了強大的、基于符號的片上 ECC，以及實時錯誤報告和透明度。
● 通過在主機接口端使用低擺幅（0.4V）信號和較低的工作電壓（1.1V），來進一步提升能效表現(xiàn)。
截圖（via WCCFTech）
英偉達技術(shù)營銷總監(jiān)兼 HBM 小組委員會主席 Barry Wagner 表示：
憑借增強的性能與可靠屬性，HBM3 將為需要巨大帶寬和容量的新應用提供有力的支撐。
美光高性能內(nèi)存與網(wǎng)絡事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理 Mark Montierth 則稱：
HBM3 將使行業(yè)攀上更高的性能巔峰，提升可靠性并降低能耗。
美光將憑借先進內(nèi)存堆疊和封裝方面的資深經(jīng)驗，來引領(lǐng)后續(xù)的計算平臺市場。
SK 海力士 DRAM 產(chǎn)品企劃副總裁 Uksong Kang 補充道：
隨著 HPC 與 AI 應用的不斷進步，對更高性能和能效的需求增長，也較以往進一步加速。
隨著 JEDEC HBM3 標準的正式頒布，SK 海力士期待著通過增強型 ECC 方案，為客戶提供兼具高性能、最佳能效和更高穩(wěn)定性的 DRAM 產(chǎn)品。
SK 海力士很高興能夠與行業(yè)合作伙伴攜手共建強大的 HBM 生態(tài)系統(tǒng)，最終為我們的客戶提供 TSG 和 TCO 方面的更高價值。
Synopsys IP 與戰(zhàn)略營銷副總裁 John Koeter 亦表示：
十多年來，Synopsys 一直是 JEDEC 的積極貢獻者，幫助推動了 HBM3、DDR5、LPDDR5 等先進內(nèi)存接口在一系列新興應用中的開發(fā)和采用。
Synopsys 的 HBM3 IP 和驗證解決方案，已被公司客戶率先采用。通過加速新接口與高性能 SoC 的集成，還有助于具有高內(nèi)存帶寬和能效的多芯片系統(tǒng)級封裝的設計與研發(fā)。
