最受矚目的第三代半導體項目，“華為概念股”山東天岳終于上市，市場反應相當直接。
1月12日，山東天岳先進科技股份有限公司（以下簡稱“天岳先進”）正式在科創板敲鐘上市，發行價格為82．79元／股。
作為國內最早實現4英寸碳化硅襯底量產的公司，天岳先進被視為中國第三代半導體的領軍人物，又因為華為在2019年的強勢站臺，讓該公司在創下一年內估值上漲10倍的記錄。
孰料，這樣一家號稱掌握第三代半導體核心技術，且被市場寄予厚望的公司，股價在上市次日即跌破發行價。截至1月13日收盤，天岳先進每股報81．99元，跌幅4．11％。
山東天岳份額提升明顯
部分市場人士認為，天岳先進尚未實現盈利是該公司股價表現不佳的重要原因，亦有產業鏈消息人士指出，目前該公司在實際產能和技術上都仍存在著較大不足。
問題是，為什么持續虧損多年且產能欠缺的天岳先進，卻能夠受到華為等巨頭，以及眾多投資機構的青睞？
蔣民華院士余響
上世紀50年代，美國麻省理工大學開始嘗試用鍺作為半導體材料開發集成電路，但由于鍺的抗高溫性及抗輻射性較差，在60年代開始逐漸被單晶硅半導體所替代。
由此，人類電子信息行業正式進入飛速發展時期。時至今日，人類社會中90％以上的芯片使用的襯底材料仍然是單晶硅，未來這一數字也不會發生太大的變化，但隨著第三代半導體材料的應用，人們開始逐漸意識到其在特定領域內的壓倒性優勢。
所謂第三代半導體，即以碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、氮化鎵（GaN）等材料為代表，與傳統的單晶硅半導體相比，第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的導熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性。
這些特性讓第三代半導體材料在5G通信、特高壓、新能源汽車等領域能夠大展拳腳，而這些行業恰恰是國內新基建概念下的核心領域，這也很好解釋了天岳先進的投資方多集中于通信與電動車行業的原因。
本世紀初，山東大學蔣民華院士組建了碳化硅課題組開始攻關，并掌握了N型和半絕緣SiC體塊單晶的生長和加工技術，成功研制出碳化硅單晶爐，實現了從單晶生長爐制造、單晶生長、襯底加工和應用的全部國產化實驗。
目前國內第三代半導體技術幾乎全部出自于山東大學晶體材料研究所之手。
2011年5月，蔣民華院士仙逝，由于碳化硅半導體較大的不確定性，鮮有企業愿意承接這一項目，課題也因此一度中斷。此時，從事工程器械的宗艷民在得知這一項目后，果斷購買了山東大學碳化硅材料技術。
由于自身的材料學背景，宗艷民敏銳地察覺到碳化硅半導體技術未來的價值，并開始了該項技術的產業化探索。
2015年，天岳先進4英寸碳化硅襯底投入生產，在隨后的幾年里，公司的業務逐漸分為半絕緣性碳化硅襯底和導電性碳化硅襯底兩大板塊。
前者可制成微波射頻器件，應用于信息通訊、無線電探測等領域。后者則可制成MOSFET、IGBT等功率器件，應用于新能源汽車、軌道交通以及大功率傳輸變電等。
幾乎在同一時間，半絕緣性碳化硅襯底在射頻芯片上的應用也引起了華為的注意。
華為入場，天岳先進的如夢時刻
2019年8月，天岳先進首次對外融資便引進了華為旗下子公司哈勃投資，這也被外界視為海思進軍第三代半導體領域的重要信號。
不過此時的華為可能并沒有這種打算。在哈勃投資企業的名單中，涵蓋了半導體材料、射頻芯片、顯示器、模擬芯片、EDA、測試、CIS圖像傳感器、光刻機等半導體行業的全部細分領域，但這些投資背后主要的邏輯是華為對國內半導體產業鏈的扶持。
或許是無心插柳，又或許是未雨綢繆，哈勃對天岳先進的投資很快就起到了至關重要的作用。
2020年，美國商務部一紙禁令讓華為無法從臺積電獲得5G芯片，此舉讓華為的手機業務受到重創。
所以我們能夠看到，在2021年底華為的旗艦產品P50 Pocket只能搭載4G版本的高通芯片，而解決這一問題的關鍵就是射頻芯片的國產化。
根據天岳先進的招股書，目前公司前兩大客戶合計貢獻60％的營業收入，盡管天岳先進并沒有公開這兩家客戶的名字，但通過“B公司屬通信行業，主要應用信息通信射頻器件”和“公司關聯方”等關鍵信息，不難判斷出這家公司正是華為。
而在招股書中公開的另一項關鍵交易信息中，天岳先進表示該客戶對公司的采購金額從2019年的1632．82萬元，提升至2020年的14154．57萬元。在一年的時間內，華為對天岳先進的采購進額增長了一個量級，這也不免讓人質疑天岳先進引進哈勃投資有用股權換取采購訂單的目的。
憑借哈勃投資的背書，天岳先進在資本市場中開啟了“開掛模式”。在哈勃投資完成股份認繳的4個月后，海通新能源、遼寧中德等公司隨即對天岳先進增資，這一系列資本進入讓后者的估值隨之水漲船高。
2020年，天岳先進前后又進行了三輪融資，又引入了28家投資機構，截至2020年底，公司的估值已經超過百億，達到年初的十倍。
不僅僅是通信行業，隨著國內車企陸續發布搭載800V高電壓平臺的車型，這場高壓快充升級革命讓碳化硅材料成為焦點。據天風證券測算，使用碳化硅材料可讓電機逆變器效率提升4％，這將讓電動車的續航里程至少提高7％。
本月6日，天岳先進公布了科創板上市發行結果，寧德時代旗下問鼎投資、廣汽集團旗下廣祺柒號、上汽集團、小鵬汽車均現身其中，這也意味著碳化硅在電動汽車領域的發展已基本達成共識。
車規產品進展緩慢
雖然被眾多資本機構看好，但上市次日破發的情況的確讓人出乎意料，財務狀況不佳或為直接原因。
根據招股書公示信息，從2018年－2020年，天岳先進歸母凈利潤為別為－4213．96萬元，－20068．36萬元，－64161．32萬元。天岳先進對此表示，報告期內，公司尚未盈利主要系實施股權激勵確認高額股份支付費用所致，扣除費經常性損益后2019年、2020年均已實現盈利。
除連年虧損外，更大的問題是天岳先進很難滿足于華為在射頻芯片上愈發緊迫的需求。
產業鏈人士透露，海思第三代半導體項目團隊對當前天岳先進的進展并不滿意，“無論是在產能上，還是在技術上”。根據海思團隊的判斷，天岳先進可能要在2025年才能滿足于成熟技術的大批量出貨。
需要說明的是，盡管第三代半導體是5G射頻芯片的最佳方案，但并不是唯一方案，比如國內射頻芯片龍頭卓勝微就是采用第二代化合物半導體砷化鎵，去作為5G射頻芯片的原材料。
而在電動車領域，天岳先進的產品結構也存在著很大的問題。
上文中曾提到，第三代半導體材料在電動車領域中的應用主要為導電型碳化硅襯底，而天岳先進的招股書顯示，2021年上半年，公司導電型碳化硅襯底僅為61．08萬元，占公司整體營收0．25％。
這也意味著天岳先進的電動車相關產品應用幾稀。天岳先進也坦言，盡管公司與全球行業龍頭企業相比在同尺寸產品的技術參數上不存在明顯差距，但大尺寸規模量產的能力遠遠落后于國際巨頭。
