《電子技術(shù)應(yīng)用》
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開發(fā)高精度制造半導(dǎo)體碳化硅的技術(shù),目標(biāo)2025年實現(xiàn)量產(chǎn)

2021-12-01
來源:全球半導(dǎo)體觀察整理
關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體 碳化硅

據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)消息,11月30日消息,日本名古屋大學(xué)的宇治原徹教授等人開發(fā)出利用人工智能(AI)高精度制造新一代半導(dǎo)體使用的碳化硅(SiC)結(jié)晶的方法。這種方法能將結(jié)晶缺陷數(shù)量降至原來百分之一,提高半導(dǎo)體生產(chǎn)的成品率。2021年6月成立的初創(chuàng)企業(yè)計劃2022年銷售樣品,2025年實現(xiàn)量產(chǎn)。

據(jù)介紹,采用SiC基板的半導(dǎo)體已在美國特斯拉部分主打純電動汽車“Model 3”中負(fù)責(zé)馬達(dá)控制等的逆變器上使用。豐田也在2020年底推出的燃料電池車“MIRAI”的新款車上采用電裝生產(chǎn)的SiC。




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