據企查查最新消息透露，湖北小米長江產業基金合伙企業（有限合伙）投資了SiC產品初創公司上海瞻芯。

　　據官網介紹，上海瞻芯電子科技有限公司（以下簡稱“瞻芯電子”）是一家聚焦于碳化硅（SiC）半導體領域的高科技芯片公司， 2017年成立于上海自貿區臨港新片區。

　　瞻芯電子齊集了海內外一支經驗豐富的高素質核心團隊，自成立之日起便啟動6英寸SiC MOSFET的產品研發工作。經過三年的深度研發和極力攻關，成為中國第一家掌握6英寸SiC MOSFET和SBD工藝，以及SiC MOSFET驅動芯片的公司。

　　瞻芯電子以虛擬IDM模式與國內一線半導體行業的合作伙伴完成晶圓制造、芯片封裝、模塊封裝、性能測試和可靠性測試等工作環節，為中國新能源產業提供整套SiC功率器件及驅動芯片解決方案，同時打造我國獨立自主的碳化硅電力電子產業鏈關鍵環節。

　　資料同時顯示，瞻芯電子提供以SiC功率器件、SiC驅動芯片、SiC模塊為核心的功率轉換解決方案，適用于：風能逆變、光伏逆變、工業電源、新能源汽車、電機驅動、充電樁等領域。

　　2020年3月，上海瞻芯與浙江義烏簽約，將在后者建設其碳化硅功率芯片生產基地。據介紹，該項目總投資5億元，建設期約為2年，項目全面達產后，預計年銷售收入達16.8億元。

　　報道同時指出，浙江瞻芯電子科技有限公司碳化硅功率芯片和特色工藝制造項目計劃投資建設碳化硅功率器件生產研發中心，一期占地50畝，包含6英寸的碳化硅功率器件生產線與工藝研發平臺，預計2021年設備進場安裝和調試，2022年投入生產，形成年產30萬片6英寸晶圓的生產能力。

　　需求確定且巨大，SiC未來數年CARG近50%

　　據一財投研，GaN和SiC是第三代半導體兩大主要材料，GaN的市場應用偏向微波器件領域、高頻小電力領域（小于1000V）和激光器領域。由于GaN器件能夠提供更高的功率和帶寬，并且GaN芯片每年在功率密度和封裝方面都會取得飛躍，能比較好的適用于大規模MIMO（多入多出）技術，GaN HEMT（高電子遷移率場效晶體管）已經成為5G宏基站功率放大器的重要技術。

　　相比GaN，SiC材料熱導率是其三倍，并且能達到比GaN更高的崩潰電壓，因此在高溫和高壓領域應用更具優勢，適用于600V甚至1200V以上的高溫大電力領域，如新能源汽車、汽車快充充電樁、光伏和電網。

　　國金證券認為，SiC和GaN當前處于不同發展階段。對于SiC行業而言，目前整體市場規模較小，2020年全球市場規模約6億美元，但是下游需求確定且巨大。根據IHS Markit數據，受新能源汽車龐大需求的驅動以及電力設備等領域的帶動，預計到2027年碳化硅功率器件的市場規模將超過100億美元，2020-2027年復合增速近50%。目前制約行業發展的主要成本高昂和性能可靠性。國金證券認為SiC行業一旦到達綜合器件成本趨近于硅基功率器件的“奇點時刻”，行業將迎來爆發性增長。

　　彎道超車機會大增，國內企業SiC器件布局持續加速

　　第三代半導體對我國而言意義非凡，不僅在于其本身的優異性能，其更是會對產業帶來全方位的帶動，有望引領中國半導體進入黃金時代。

　　目前在SiC產業鏈各個環節，國內領先水平與國際領先水平仍有一定差距，但是工藝水平和發展狀況的差距遠小于硅半導體，是中國大陸半導體（尤其是功率和射頻器件）追趕的極佳突破口，而CREE公司一躍成為全球巨頭也充分證明，在這一新興賽道中，作為后來者仍有機會彎道超車。

　　目前國內企業已經在抓緊布局SiC器件制造，據CASA不完全統計，2020年國內投產3條6英寸SiC晶圓產線，截至2020年底，國內至少已有8條6英寸SiC晶圓制造產線（包括中試線），另有約10條SiC生產線正在建設。