隨著5G技術、工業(yè)4.0、自動駕駛、以及數(shù)據(jù)中心等應用的迅速發(fā)展，進一步帶動了存儲器市場的需求，然而，2021年，全球半導體產業(yè)依然面臨“缺芯”問題，國內外廠商都在加速產品研發(fā)，擴充產能，國際頭部廠商也對未來發(fā)展做出了新的戰(zhàn)略部署。
國外廠商方面，從產品研發(fā)進展來看，美光批量出貨基于1α （1-alpha） 節(jié)點的DRAM產品；鎧俠和西數(shù)推出第六代162層3D NAND閃存；SK海力士量產采用EUV技術的第四代10納米級DRAM。
企業(yè)戰(zhàn)略規(guī)劃方面，SK海力士90億美元對英特爾NAND閃存和SSD業(yè)務的收購亦獲得了歐洲聯(lián)盟委員會和新加坡競爭與消費者委員會等機構的批準；美光宣布停止對3D XPoint的開發(fā)，并出售其在猶他州Lehi的3D Xpoint晶圓廠；而鎧俠則計劃于今年11月進行首次公開發(fā)行（IPO）。
與此同時，國內存儲產業(yè)的發(fā)展也實現(xiàn)了新的突破。如長江存儲64層閃存顆粒出貨超3億顆，128層QLC已經準備量產，TLC良率做到相當水準。此外，兆易創(chuàng)新首款自有DRAM產品也于今年6月正式發(fā)布，實現(xiàn)了從設計、流片，到封測、驗證的全國產化。
下面就一起來回顧下截至目前，2021年有哪些簽約、開工、竣工的存儲芯片項目吧！（順序不分先后）
SK海力士M16新廠竣工
2月1日，SK海力士在韓國京畿道利川總部舉行M16新廠竣工儀式。
SK海力士M16于2018年11月開建，總投資3.5萬億韓元。M16廠將主要生產DRAM產品，總面積5.7萬平方米，相當于8個足球場，長335米、寬163米、高105米，是SK海力士國內外生產設施中規(guī)模最大的工廠。
官方信息顯示，SK海力士首次在M16配備EUV光刻機，通過在M16廠采用先進基礎設備，準備把新廠發(fā)展成為公司的下一代發(fā)展動力。
鎧俠Fab7工廠動工
2月25日，鎧俠宣布在日本三重縣四日市工廠舉行了奠基儀式，最先進的半導體工廠（Fab7）正式破土動工。
新聞稿指出，該工廠將成為世界上最先進的制造工廠之一，致力于生產其專有的3D閃存BiCS FlashTM。新工廠的建設將分為兩個階段，其中第一階段的建設計劃于2022年春季完成。
新的Fab7工廠是由鎧俠和西部數(shù)據(jù)進行合資投資，將采用減震結構和環(huán)保設計，其中包括最新的節(jié)能制造設備。該工廠將通過引入AI的先進制造系統(tǒng)進一步提高鎧俠的整體生產能力。
晟碟半導體三期廠房擴建項目竣工
7月23日，西部數(shù)據(jù)旗下全資子公司——晟碟半導體（上海）有限公司舉行了其上海工廠三期廠房擴建項目的竣工儀式。
據(jù)悉，晟碟半導體三期廠房項目計劃投資約10億元，用于支持下一代閃存產品的研發(fā)、測試和生產，以滿足未來由人工智能、自動駕駛和5G實施而帶動的對閃存存儲產品的長期市場需求。
資料顯示，晟碟半導體是美國西部數(shù)據(jù)公司下屬全資子公司，主要從事先進閃存存儲產品的研發(fā)、封裝和測試。自2006年落戶紫竹高新區(qū)以來，注冊資本從3200萬美元增加至2.7億美元，投資總額自9600萬美元擴大到8.2億美元，目前已成為世界領先的半導體封裝測試企業(yè)之一，生產的產品類型主要包括SD、MicroSD、iNAND閃存模塊等。
康佳存儲芯片封測項目試生產
5月初，鹽城新聞報道稱，康佳存儲芯片封測項目已經完成一期建設，生產線設備調試完畢，開始試生產，每月產量達到3.5KK。
康佳存儲芯片封測項目總投資20億元，運營主體為康佳芯盈半導體科技（深圳），分兩期建設。項目建成投產后年可實現(xiàn)銷售40億元，封測產能達20KK/月，生產良率達99.95%以上。
最新消息是，該項目已進入全面竣工階段，廠務系統(tǒng)投入正式運行。
康佳芯云半導體科技（鹽城）有限公司總經理劉嘉涵介紹，整個項目預計在11月份全部投產達效，明年預計銷售額達到10億元?？导研驹频哪繕耸谴蛟靽鴥鹊谝坏拇鎯π酒雽w封測品牌。
合肥沛頓存儲一期項目封頂
6月26日，合肥沛頓存儲科技有限公司一期項目正式封頂。
合肥沛頓是深科技全資子公司沛頓科技與國家大基金二期、合肥產投、中電聚芯于2020年10月共同投資建設的集成電路先進封測和模組制造項目，總投資金額100億元，主要為國內自主存儲半導體龍頭提供封裝和測試業(yè)務。
按照規(guī)劃，合肥沛頓存儲項目力爭于今年年底實現(xiàn)投產并形成有效產能。項目達產后，預計可實現(xiàn)年封測DRAM顆粒5.76億顆，年封裝NAND FLASH 3840萬顆，年產內存模組3000萬條的生產能力，預計可實現(xiàn)年營收28億元左右。
創(chuàng)維存儲半導體生產項目簽約江西
7月20日，江西贛州經開區(qū)管委會與深圳創(chuàng)維-RGB電子有限公司簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，創(chuàng)維贛州顯示產業(yè)基地項目和存儲半導體生產等項目成功落戶贛州經開區(qū)。
其中深圳創(chuàng)維-RGB電子有限公司此次在贛州經開區(qū)建設的存儲半導體生產項目，主要生產eMMC等存儲半導體產品，總投資約20億元，達產后可實現(xiàn)年營業(yè)收入約30億元；創(chuàng)維贛州顯示產業(yè)基地項目，依托陸路港贛州港，通過中歐班列出口至歐洲，項目達產后可實現(xiàn)年營業(yè)收入約30億元。
至訊創(chuàng)新集成電路項目總部基地落戶無錫
9月29日，至訊創(chuàng)新集成電路項目總部基地落戶無錫高新區(qū)。
據(jù)無錫高新區(qū)在線報道稱，至訊創(chuàng)新無錫有限公司由院士領銜，國內頂尖集成電路專業(yè)人才團隊創(chuàng)立，總投資超5億元。核心團隊擁有全球領先的存儲產品設計能力，將為國內外客戶提供一站式中低容量存儲解決方案，
至訊創(chuàng)新主要產品為NAND閃存SLC系列、MLC系列和內存PSRAM系列、LPDDR系列，廣泛應用于消費電子、IOT、監(jiān)控、網絡接入設備等領域，主要客戶包括華為、小米、海康威視、中興、海信、創(chuàng)維等。未來將專注于高端存儲芯片的研發(fā)，力爭5年內實現(xiàn)產值超10億，并以無錫總部為主體科創(chuàng)板上市。
和恩泰存儲芯片封測項目竣工投產
7月28日，四川和恩泰半導體存儲芯片封裝測試項目正式竣工投產。
報道介紹稱，四川和恩泰半導體有限公司生產工廠占地2.89萬平方米，生產基地總投資2億元，擁有領先的SIP封裝和BGA封裝技術以及生產設備和測試技術，主要客戶有金士頓旗下的臺灣傲騰，廣州商科，傳音控股等，年產能5000萬片存儲芯片，產值約10億元，填補了該市封裝測試種類空白，對提升遂寧電子信息產業(yè)集聚水平和產業(yè)層次具有重要意義。
和恩泰半導體是一家專注于存儲領域的高新技術企業(yè)，具有一流的半導體設計及封裝測試能力。
意芯半導體存儲芯片封測項目開工
8月13日，意芯半導體存儲芯片封測項目開工。
據(jù)介紹，該項目位于麗水經濟技術開發(fā)區(qū)龍慶路356號。該項目總投資約7億元，總用地面積33畝，廠房使用面積1.8萬平方米，主要建設內容包括建設基于存儲領域芯片NAND Flash 、eMMC和eMCP的封測生產線。
資料顯示，意芯半導體成立于2021年，注冊資本1.5億元，經營范圍包括半導體器件專用設備制造；半導體器件專用設備銷售；半導體分立器件銷售；集成電路制造；集成電路銷售；集成電路設計；集成電路芯片及產品制造等。
浙江簽約內存芯片封測項目
今年年初，浙江桐鄉(xiāng)市舉行2021年一季度項目推進暨集中簽約現(xiàn)場會，18個項目簽約落戶。
其中工業(yè)重鎮(zhèn)洲泉簽下內存芯片封測項目，據(jù)讀嘉新聞報道，內存芯片封測項目計劃總投資50億元。項目建成后，內存芯片封測產能將達500萬顆/月、高性能SSD（固態(tài)硬盤）生產62.5萬臺/月，一期建成投產后的前四年，將實現(xiàn)目標產能100億元。