華為暫時退出高端市場、華為發(fā)布鴻蒙OS、華為輔助駕駛等等,有關(guān)華為的新聞是層出不窮,這背后的故事,讓國人意識到,技術(shù)才是把握主動權(quán)的關(guān)鍵。

近日,華為又搞出了一個大新聞,宣布華為旗下公司哈勃科技正式入股東莞市天域科技半導(dǎo)體公司,這家公司是我國首個從事第三代半導(dǎo)體碳化硅外延片研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的高新技術(shù)企業(yè)。

那么,華為進(jìn)軍半導(dǎo)體行業(yè),究竟欲意何為?

第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢,能為華為帶來什么?

要回答這一問題,首先需要解釋什么是第三代半導(dǎo)體,以及它跟一代、二代半導(dǎo)體的差別。

第三代半導(dǎo)體主要由四種半導(dǎo)體材料構(gòu)成,它們分別是氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)和金剛石,均為高溫半導(dǎo)體材料。

而一代半導(dǎo)體則主要由硅(Si)、鍺(Ge)構(gòu)成,其中硅是構(gòu)成一切邏輯器件的基礎(chǔ);二代半導(dǎo)體則由化合物導(dǎo)體材料構(gòu)成,主要有砷化鎵(GaAs)和 磷化銦(InP)。

一代、二代、三代半導(dǎo)體由于材質(zhì)組成的差異,直接導(dǎo)致了它們的作用各不相同。其中三代半導(dǎo)體最大的優(yōu)勢在于,它更符合當(dāng)前電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的要求,比如第三代半導(dǎo)體的重要組成材料碳化硅(SiC),就具備高電子飽和速度、高臨界磁場、高熱導(dǎo)率三大特點。

得益于這些優(yōu)點,能讓采用三代半導(dǎo)體技術(shù)的元器件更適用于高頻高溫的場景,同時還能起到降低功耗的作用。同時碳化硅還適用于制造高耐壓、大功率的電子器件,比如廣泛運用于新能源汽車行業(yè)的IGBT模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品,正是歸功于第三代半導(dǎo)體中的碳化硅材料。

同時碳化硅還可應(yīng)用于新能源汽車領(lǐng)域的逆變器、車載充電器、功率控制單元等方面,其所具備的輕量化、耐高溫、效率高的特點,還能有效降低新能源汽車的成本。

由此可見,華為投資第三代半導(dǎo)體技術(shù),興許是想為新能源汽車造勢,連接自身在輔助駕駛方面的優(yōu)勢,實現(xiàn)真正的軟硬結(jié)合。

此外,在第三代半導(dǎo)體技術(shù)中,氮化鎵(GaN)也是重要材料之一,它廣泛應(yīng)用于如今的手機快充中。相比一代、二代半導(dǎo)體技術(shù),氮化鎵的出現(xiàn)本身具備電阻小、損耗低、能源轉(zhuǎn)化率高等優(yōu)點。

更重要的是,它緊貼當(dāng)前手機發(fā)展趨勢和人們對便攜度的剛需,使用氮化鎵技術(shù)的手機充電器,不僅具備損耗低、轉(zhuǎn)化率高等特點,同時還能利用材料本身優(yōu)勢,將充電頭壓縮到更小的體積。

目前在快充領(lǐng)域取得重要突破的有OPPO、小米,其中OPPO早在19年就發(fā)布了國內(nèi)首款氮化鎵充電器SuperVOOC 2．0,充電功率達(dá)到了65W,這一技術(shù)在此后長達(dá)一年的時間里就滲透了OPPO手機多個型號,許多消費者也愿意為更快的充電體驗買單。

去年是小米充電技術(shù)取得革命性突破的一年,正是得益于第三代半導(dǎo)體技術(shù),讓充電頭更好地兼容百瓦充電速度,還進(jìn)一步縮小了充電器體積,以此增強小米手機的競爭力。

壓力落到華為身上,由于眾所周知的原因,華為遭遇了前所未有的打擊,直到上個月推出鴻蒙OS才暫時恢復(fù)了一絲元氣,緩過神后才開始對手機硬件開始緊鑼密鼓的規(guī)劃,也許第三代半導(dǎo)體技術(shù)正是華為重啟高端旗艦規(guī)劃的其中一環(huán)。

現(xiàn)在入場的華為,還有機會嗎?

盡管如此,投資第三代半導(dǎo)體技術(shù),并不能挽救華為在芯片方面的頹勢,因為目前在核心處理器行業(yè),主要是由第一代半導(dǎo)體主管的,而第二、三代主攻的領(lǐng)域與芯片領(lǐng)域并不相同。

同時,目前第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域已經(jīng)有聞泰科技、三安光電這樣的先行者,華為投資后想要追趕上它們,難度還是相當(dāng)大的。

雖然難度大,但華為其實可以借鑒聞泰科技和三安光電的做法。就拿聞泰科技來說,雖然華為并不具備生產(chǎn)能力,不能走ODM模式,但可以效仿聞泰科技收購安世半導(dǎo)體后的做法,利用投資第三代半導(dǎo)體后所獲得的資源,在手機、新能源汽車行業(yè)的電池充電技術(shù)方面下功夫,推動GaN技術(shù)研發(fā),或許也能增加華為硬件方面的優(yōu)勢。

近期,三安光電也有大動作,它在國內(nèi)建立了首條碳化硅垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈,以此借助第三代半導(dǎo)體技術(shù),推動Mini/Micro LED氮化鎵芯片、砷化鎵芯片、4K顯示屏用封裝的發(fā)展。

三安光電利用第三代半導(dǎo)體技術(shù),在符合未來發(fā)展趨勢的屏幕材質(zhì)上的研發(fā),也許能為華為提供一種思路,或許華為也可以利用現(xiàn)有資,在屏幕技術(shù)方面下功夫,以增強手機、平板、電腦等產(chǎn)品線的競爭力。

值得一提的是,三安光電憑借在第三代半導(dǎo)體技術(shù)的積累,還成為了三星Mini/Micro LED芯片的供應(yīng)商,這一點來說,小黑認(rèn)為這或許能給華為帶來新的啟發(fā)。

由此前華為與賽力斯的合作方式來看,華為與大多數(shù)廠商進(jìn)軍新能源汽車的方式不同,華為僅提供軟件汽車的自動駕駛軟件。那么其實可以反過來,華為若借助第三代半導(dǎo)體,在屏幕芯片方面取得突破,是不是意味著能在屏幕領(lǐng)域中的硬件方面占據(jù)主動權(quán),反過來為其他屏幕廠商提供芯片呢?這是否也能成為華為反擊的手段之一呢?

當(dāng)然,以上情況只是小黑的猜測,就華為目前的所處的境況來看,華為投資第三代半導(dǎo)體也許只是華為的小嘗試,更多的還是集中于自身核心業(yè)務(wù)的發(fā)展,例如如何突破限制,如何擴展萬物互聯(lián)優(yōu)勢,如何開辟全新的賽道等等。