由于疫情尚未平復,臺積電依然沿用去年的線上模式舉辦這次論壇。
在本周舉行的臺積電2021年技術研討會上,臺積電CEO魏哲家分享其先進邏輯技術、特殊技術、3DFabric先進封裝與芯片堆疊等方面的最新進展。
臺積電CEO魏哲家在大會上說道:“數字化轉型為半導體行業開辟了一個充滿機遇的新世界,我們的全球技術研討會強調了我們增強和擴展技術組合的許多方法,以釋放客戶的創新。”
首先,臺積電將其領先的工藝節點分為三個產品家族:7nm、5nm和即將推出的3nn工藝節點。隨著許多客戶遷移到更先進的工藝節點,7nm產能增速放緩,預計2021年產能僅增加14%,與曾經16nm工藝系列產能進展類似。與之對應的,目前代工廠主要專注于5nm和即將推出的3nm芯片產品。
在研討會上,臺積電官方介紹了5nm工藝新成員N5A。N5A工藝旨在應對當今對計算能力需求不斷增加的汽車應用。由于有臺積電汽車設計平臺的支持,N5A計劃于2022年第三季度上市。
同時,臺積電透露了其4nm和3nm的最新進展。4nm加強版采用與N5幾乎近相同設計法則,在性能、功耗和集體管密度上均進一步提升,通過邏輯的光學微縮、標準單元庫的改進和設計規則的推動,N4的晶體管密度較N5提升6%。臺積電還聲稱,N4自2020年技術研討會上宣布以來進展順利,預計2021年第三季度風險量產。
而3nm方面,依靠業經驗證的FinFET晶體管架構,得以實現最佳性能、功耗和成本效益,與N5相比,臺積電N3性能提升15%、功耗降低30%、邏輯密度增加70%,有望在2022年下半年開始量產,同時成為世界上最先進的芯片制造技術。
隨著臺積電3nm開始量產,可以預測各家手機廠商的旗艦手機SoC也將更新至3nm。不過射頻芯片沒有像手機SoC制程一樣頻繁升級,依然使用16nm左右制程,但這一局面可能會在未來有所改變。
