IT之家 6 月 2 日消息 據(jù)中國(guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，晶圓代工龍頭臺(tái)積電今日舉辦 2021 年技術(shù)論壇，并宣布 4 納米制程技術(shù)預(yù)計(jì) 2021 年第 3 季開(kāi)始試產(chǎn)，較先前規(guī)劃提早一季時(shí)間，3 納米制程則將依計(jì)劃于 2022 年下半年量產(chǎn)。

今年是臺(tái)積電連續(xù)第二年采用線(xiàn)上形式舉行技術(shù)論壇，與客戶(hù)分享臺(tái)積公司最新的技術(shù)發(fā)展，包括支持下一世代 5G 智能手機(jī)與 WiFi 6／6e 效能的 N6RF 制程、支持最先進(jìn)汽車(chē)應(yīng)用的 N5A 制程、以及 3DFabric 系列技術(shù)的強(qiáng)化版。

臺(tái)積電在這次的技術(shù)論壇會(huì)中揭示先進(jìn)邏輯技術(shù)、特殊技術(shù)、以及 3DFabric 先進(jìn)封裝與晶片堆疊技術(shù)之最新創(chuàng)新成果，今年共計(jì)超過(guò) 5，000 位來(lái)自全球各地的客戶(hù)與技術(shù)伙伴注冊(cè)參與 6 月 1 至 2 日舉行的線(xiàn)上技術(shù)論壇。

臺(tái)積電在今年的技術(shù)論壇上，介紹了 N5（5 納米）、N4（4 納米）、N5A（5 納米 A）、以及 N3（3 納米）制程技術(shù)的情況。臺(tái)積電指出，自 2020 年領(lǐng)先業(yè)界量產(chǎn) 5 納米技術(shù)，其良率提升的速度較前一世代的 7 納米技術(shù)更快。而 N5 家族之中的 N4 加強(qiáng)版借由減少光罩層，以及與 N5 幾近相容的設(shè)計(jì)法則，進(jìn)一步提升了效能、功耗效率、以及電晶體密度。

臺(tái)積電指出，自從在 2020 年臺(tái)積公司技術(shù)論壇公布之后，N4 的開(kāi)發(fā)進(jìn)度相當(dāng)順利，預(yù)計(jì)于 2021 年第 3 季開(kāi)始試產(chǎn)。

臺(tái)積電也推出了 5 納米家族的最新成員－N5A 制程，目標(biāo)在于滿(mǎn)足更新穎且更強(qiáng)化的汽車(chē)應(yīng)用對(duì)于運(yùn)算能力日益增加的需求，例如支持人工智能的駕駛輔助及數(shù)字車(chē)輛座艙。

臺(tái)積電表示，N5A 將現(xiàn)今超級(jí)電腦使用的相同技術(shù)帶入車(chē)輛之中，搭載 N5 的運(yùn)算效能、功耗效率、以及邏輯密度，同時(shí)符合 AEC－Q100 Grade 2 嚴(yán)格的品質(zhì)與可靠性要求，以及其他汽車(chē)安全與品質(zhì)的標(biāo)準(zhǔn)。

IT之家了解到，臺(tái)積電的 N3 技術(shù)預(yù)定于 2022 年下半年開(kāi)始量產(chǎn)時(shí)將成為全球最先進(jìn)的邏輯技術(shù)。N3 憑借著可靠的 FinFET 電晶體架構(gòu)，支持最佳的效能、功耗效率、以及成本效益，相較于 N5 技術(shù)，其速度增快 15％，功耗降低達(dá) 30％，邏輯密度增加達(dá) 70％ 。