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突破碳化硅芯片“卡脖子”技術,中科漢韻SiC功率器件項目通線

2021-05-25
來源:全球半導體觀察

  金龍快報信息顯示,5月24日,江蘇中科漢韻半導體有限公司SiC功率器件項目通線儀式在開發區鳳凰灣電子信息產業園舉行。

  據介紹,中科漢韻是中科院微電子所碳化硅科技成果產業轉化的成功典范。項目一期建筑面積2.1萬平方米,建設年產5000片碳化硅功率器件生產線。

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  △Source:金龍湖發布

  資料顯示,中科漢韻成立于2019年,是中國科學院微電子研究所和徐州中科芯韻半導體產業投資基金共同投資的半導體芯片設計和制造企業(IDM),專注于第三代半導體碳化硅MOSFET芯片,致力于高質量碳化硅功率器件國產化,為客戶提供高性能的SiC功率器件。

  報道指出,該項目的正式通線,標志著我國企業突破了碳化硅芯片設計和工藝制造國產化中的一系列重大“卡脖子”技術,將為徐州市和開發區集成電路產業特別是第三代半導體產業發展注入新的強勁動能。

 


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