據(jù)分析機(jī)構(gòu)ICinsights報(bào)道，在過去的25年中，跟上前沿IC技術(shù)的發(fā)展步伐變得越來越昂貴。現(xiàn)在，為邏輯器件實(shí)施最先進(jìn)的工藝技術(shù)所需的投資已將大部分公司已經(jīng)趕出了市場，僅剩下三星，臺(tái)積電和英特爾這三家公司。而在這三家制造商中，只有兩家可以真正地處于領(lǐng)先地位，那就是三星和臺(tái)積電。

　　從現(xiàn)狀看來，他們都可以批量生產(chǎn)7nm和5nm IC。相比之下，預(yù)計(jì)直到2022年，英特爾都不會(huì)在自己的制造工廠中大批量生產(chǎn)7nm器件，而屆時(shí)三星和臺(tái)積電預(yù)計(jì)已經(jīng)推出3nm制程技術(shù)生產(chǎn)商業(yè)量的IC。

　　從歷史上看，具有最高資本支出水平的IC公司也是能夠生產(chǎn)最先進(jìn)芯片的公司。盡管在過去27年中，英特爾已連續(xù)25年位居半導(dǎo)體行業(yè)前兩大資本支出者之列（圖1），但該公司在2020年的支出僅是三星當(dāng)年支出的一半左右，而且預(yù)計(jì)將再次遠(yuǎn)低于三星支出的一半。三星和臺(tái)積電預(yù)計(jì)今年將各自支出約280億美元。

　　在2010年，三星的半導(dǎo)體資本支出花費(fèi)首次超過了100億美元。在2016年，公司在半導(dǎo)體資本支出上花費(fèi)了113億美元，然后在2017年，三星半導(dǎo)體集團(tuán)的支出增加了一倍以上，達(dá)到242億美元。

　　自2017年以來，三星的半導(dǎo)體資本支出一直非常強(qiáng)勁，2018年的支出更是達(dá)到驚人的216億美元，2019年達(dá)到193億美元，去年達(dá)到281億美元。 在半導(dǎo)體行業(yè)的歷史上，三星在2017-2020年期間的龐大支出（932億盡管三星尚未為其2021年的支出提供指導(dǎo)，但I(xiàn)C Insights估計(jì)該公司的支出將基本與2020年持平。

　　圖1

　　臺(tái)積電是唯一提供領(lǐng)先技術(shù)的純晶圓代工廠。它對(duì)7納米和5納米工藝的需求非常強(qiáng)勁，這些工藝占其2H20銷售額的47％。它目前的大部分投資都針對(duì)其7nm和5nm技術(shù)的額外產(chǎn)能。

　　臺(tái)積電的5nm產(chǎn)品占到2020年總銷售額的8％（35億美元），由此可以說明去年臺(tái)積電轉(zhuǎn)向了更先進(jìn)的工藝有多快，因?yàn)樵摴驹谌ツ晟习肽昊旧蠜]有5nm收入。

　　現(xiàn)在看來，三星和臺(tái)積電都意識(shí)到了眼前的千載難逢的機(jī)遇。

　　三星在2017年開始支出激增，臺(tái)積電也將在2021年開始大規(guī)模的多年支出增長。ICInsights預(yù)計(jì)，三星和臺(tái)積電今年的資本支出將至少達(dá)到555億美元，占總支出的5％。前兩個(gè)支出最多的時(shí)間是半導(dǎo)體行業(yè)總支出中的高百分比（圖2）。

　　由于目前尚無其他公司能夠與這些龐大的支出相匹敵，因此三星和臺(tái)積電今年可能會(huì)在先進(jìn)集成電路制造技術(shù)方面與自身和競爭對(duì)手展開更大的距離。

圖2

　　像歐盟，美國和中國這樣的政府能否投資于其本土IC產(chǎn)業(yè)并趕上與三星和臺(tái)積電（TSMC）的IC技術(shù)競賽？

　　考慮到差距還很大，IC Insights認(rèn)為，各國政府至少需要在至少五年內(nèi)每年花費(fèi)至少300億美元，才能獲得合理的成功機(jī)會(huì)。他們是否有意愿和/或能力兌現(xiàn)這一承諾？

　　此外，對(duì)中國而言，即使有錢，也肯定會(huì)受到貿(mào)易問題的阻礙，因?yàn)橘Q(mào)易問題禁止一些最關(guān)鍵的過程設(shè)備出售到中國。

　　如果沒有其他IC生產(chǎn)商或政府采取迅速而果斷的行動(dòng)，三星和臺(tái)積電就將成功占領(lǐng)世界領(lǐng)先的IC工藝技術(shù)，這是未來先進(jìn)的消費(fèi)，商業(yè)和軍事電子系統(tǒng)的基石。