荷蘭恩智浦半導(dǎo)體公司周二表示，已在美國(guó)亞利桑那州錢(qián)德勒市（Chandler）開(kāi)設(shè)了一家工廠，生產(chǎn)用于5G電信設(shè)備的氮化鎵芯片。
氮化鎵是硅的替代品。 這種材料是5G網(wǎng)絡(luò)中的一個(gè)關(guān)鍵成分，因?yàn)樗梢蕴幚?G網(wǎng)絡(luò)中使用的高頻，同時(shí)比其他芯片材料消耗更少的功率和占用更少的空間。
恩智浦表示，這座新工廠將生產(chǎn)6英寸芯片，此類芯片的尺寸是大多數(shù)傳統(tǒng)硅芯片的一半，但在替代材料中很常見(jiàn)。
該公司表示，新工廠將有一個(gè)研究和開(kāi)發(fā)中心，以幫助工程師加速氮化鎵半導(dǎo)體的開(kāi)發(fā)和專利申請(qǐng)。
恩智浦表示，預(yù)計(jì)該廠將于年底前達(dá)到全部生產(chǎn)能力。
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