日前，三星電子宣布，由三星為業內最先進工藝節點專門研發的硅驗證3D IC封裝技術，eXtended－Cube，簡稱為X－cube，已經可以投入使用。
X－cube運用了三星的硅通孔技術（TSV），在速度和功率效率方面實現了重大飛躍，能夠滿足包括5G、AI、高性能計算、移動和可穿戴設備在內的下一代應用對性能的嚴格要求。
“即使是在尖端EUV工藝節點中，三星新一代3D封裝技術也能確保穩定的TSV互聯。”三星電子Foundry市場戰略部高級副總裁Moonsoo Kang說道，“未來，三星電子會實現更多3D IC技術創新，推動半導體產業發展。”
在三星X－Cube技術加持下，芯片設計者在構建定制方案時能以更高的靈活性去滿足客戶獨特的需求。以7nm工藝生產的X－cube試驗芯片利用TSV技術，將SRAM堆疊在單一的邏輯裸片（die）上，為在更小的面積內封裝更多內存空出了空間。此外，運用3D集成技術，這種超薄的封裝設計縮短了裸片間的信號路徑，實現了數據傳輸速度以及能效的最大化。同時，客戶也可以根據自己的需求對內存帶寬和密度進行調節。
三星方面表示，目前，X－Cube封裝方案已經可以投入實際使用，對7nm和5nm制程芯片都適用。在初始設計之上，三星還計劃和全球范圍內的Fabless客戶繼續合作，以推進3D IC方案在下一代高性能應用中的使用。
這項技術的更多細節將在一年一度的熱門芯片大會（Hot Chips）上披露，今年大會的召開時間為8月16－18日。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。