上海，2020年5月11日 – 富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型號(hào)為MB85RS2MLY的全新2Mbit FRAM，可在125℃高溫度下正常運(yùn)行。該器件工作電壓可低至1.7V至1.95V，配有串行外設(shè)接口（SPI）。目前可為客戶(hù)提供評(píng)測(cè)版樣品，將在6月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

這款全新FRAM產(chǎn)品是汽車(chē)電子電控單元的最佳選擇，滿(mǎn)足高端汽車(chē)市場(chǎng)對(duì)低功耗電子器件的需求，如ADAS。

圖1：MB85RS2MLY 8pin DFN 封裝

圖2：應(yīng)用實(shí)例（ADAS）

FRAM的讀/寫(xiě)耐久性、寫(xiě)入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存，已有對(duì)傳統(tǒng)非易失性?xún)?nèi)存性能不滿(mǎn)意的客戶(hù)采用我們的FRAM。

自2017年以來(lái)，富士通電子不斷推出工作電壓3.3V或5V的64Kbit~2Mbit的汽車(chē)級(jí)FRAM產(chǎn)品。但高端汽車(chē)電控單元的推出，使得一些客戶(hù)開(kāi)始要求FRAM的工作電壓低于1.8V。富士通電子近日推出的這款全新FRAM正是為了滿(mǎn)足這一市場(chǎng)需求而面世的。

MB85RS2MLY在-40°C至+125°C溫度范圍內(nèi)可以達(dá)到10兆次讀/寫(xiě)次數(shù)，適合某些需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用，比如連續(xù)10年每天每0.1秒記錄一次數(shù)據(jù)，則寫(xiě)入次數(shù)將超過(guò)30億。另外，這款產(chǎn)品可靠性測(cè)試符合AEC-Q100 Grade 1標(biāo)準(zhǔn)，達(dá)到汽車(chē)級(jí)產(chǎn)品的認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)。因此，在數(shù)據(jù)寫(xiě)入耐久性和可靠性方面，富士通電子最新推出的這款FRAM完全支持ADAS等需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用。 

這款FRAM產(chǎn)品采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)8-pin SOP封裝，可輕松取代現(xiàn)有類(lèi)似引腳的EEPROM。此外，還提供外形尺寸為5.0mm x 6.0mm x 0.9mm的8-pin DFN（無(wú)引線(xiàn)雙側(cè)扁平）封裝。

圖3：8pin DFN和8pin SOP封裝

除2Mbit FRAM，富士通電子目前正在研發(fā)125°C溫度系列容量為4Mbit的存儲(chǔ)產(chǎn)品。富士通電子將繼續(xù)提供內(nèi)存產(chǎn)品和解決方案，滿(mǎn)足市場(chǎng)和客戶(hù)的未來(lái)需求。  

關(guān)鍵規(guī)格

? 組件型號(hào)：MB85RS2MLY

? 容量（組態(tài)）：2 Mbit（256K x 8位）

? 接口：SPI（Serial Peripheral Interface）

? 運(yùn)作頻率：最高50 MHz 

? 運(yùn)作電壓：1.7伏特 - 1.95伏特

? 運(yùn)作溫度范圍：攝氏零下40度 - 攝氏125度

? 讀∕寫(xiě)耐用度：10兆次 (1013次)

? 封裝規(guī)格：8-pin SOP與8-pin DFN

? 認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)：符合AEC-Q100 Grade 1

詞匯與備注

注一：鐵電隨機(jī)存取內(nèi)存（FRAM）

FRAM是一種采用鐵電質(zhì)薄膜作為電容器以?xún)?chǔ)存數(shù)據(jù)的內(nèi)存，即便在沒(méi)有電源的情況下仍可保存數(shù)據(jù)。FRAM結(jié)合了ROM和RAM的特性，并擁有高速寫(xiě)入數(shù)據(jù)、低功耗和高速讀/寫(xiě)周期的優(yōu)點(diǎn)。富士通自1999年即開(kāi)始生產(chǎn)FRAM，亦稱(chēng)為FeRAM。