臺積電是否會在3nm工藝上繼續選擇FinFET，這將影響到整個行業先進制程的走勢。

繼三星之后，臺積電也正式對外公布了其3nm工藝計劃。

在剛結束不久的說法會上，臺積電宣布，其2020年的開支大約會在150到160億美元之間，其中80％將投向先進產能擴增，包括7nm、5nm及3nm。其中，關于3nm工藝的具體情況，臺積電稱將會在4月份的發布會上公開。

目前，業內普遍認為3nm工藝決定了未來半導體新制程的發展方向，因此半導體制造領域的巨頭們最終會在3nm工藝上選擇什么路線，成為業內格外關注的話題。

此前三星就宣布了3nm工藝計劃，明確表示會放棄FinFET晶體管，轉向GAA環繞柵極晶體管技術。具體來說，三星的3nm工藝分為3GAE、3GAP，后者的性能更好，不過首發的是第一代GAA晶體管工藝3GAE。

根據官方說法，基于全新的GAA晶體管結構，三星通過使用納米片設備制造出了MBCFET（Multi－Bridge－Channel FET，多橋－通道場效應管），該技術可以顯著增強晶體管性能；此外，MBCFET技術還能兼容現有的FinFET制造工藝的技術及設備，從而加速工藝開發及生產。

在2019年的日本SFF會議上，三星還公布了3nm工藝的具體指標，與現在的7nm工藝相比，3nm工藝可將核心面積減少45％，功耗降低50％，性能提升35％。

三星計劃在2030年前投資1160億美元打造半導體王國，由于在7nm、5nm節點上都要落后于臺積電，所以三星押注3nm節點，希望在這個節點上超越臺積電成為第一大晶圓代工廠，因此三星對3GAE工藝寄予厚望，最快會在2021年就要量產。

至于臺積電，在3nm節點他們也大舉投資，去年宣布斥資195億美元建設3nm工廠，2020年會正式開工，不過技術細節一直沒有透露，尤其是臺積電是否會像三星那樣選擇GAA晶體管還是會繼續改進FinFET晶體管，這將影響到整個行業走勢。

作者：Lynn