華為的一舉一動總是備受矚目，因為這或許預示一個重要機遇或風口即將來臨。最新消息顯示，華為正開始研發IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管），目前正在從某國內領先的IBGT廠商中挖人。

　　據悉，目前，全球IGBT市場主要由國際巨頭壟斷，我國作為最大的IGBT市場長期依賴進口，機構預計到2022年全球IGBT市場規模將達60億美元。值得一提的是，工信部10月8日也表示，將持續推進芯片、IGBT模塊等產業發展，另外11月21日，國內IGBT龍頭斯達股份IPO剛獲證監會通過，將于上交所上市。

　　60億美元市場待啟

　　IGBT是電力領域的核心器件，相當于電力電子領域的CPU，其應用廣泛，按不同電壓等級，高壓IGBT應用于電網、軌交、風電，中壓應用于工控、新能源汽車、光伏、家電，低壓應用于汽車零部件、3C等諸多領域。同時，IGBT作為一種新型電力電子器件，是國際上公認的電力電子技術第三次革命最具代表性的產品，是工業控制及自動化領域的核心元器件，既屬于戰略高新技術又屬于核心關鍵技術。

　　天風證券研報顯示，2022年全球IGBT市場規模將達到60億美元。全球IGBT市場的主要競爭者包括英飛凌、三菱電機、富士電機、安森美，以及ABB等企業，前五大企業的市場份額就已經超過了70%，前十大IGBT企業中，僅有一家中國企業，即嘉興斯達半導體股份有限公司（簡稱斯達股份），市場占有率2%。

　　另一方面，我國功率半導體市場占世界市場的50%以上，是全球最大的IGBT市場，這意味著我國IGBT產品嚴重依賴進口，而在中高端領域更是90%以上的IGBT器件依賴進口，IGBT國產化需求已是刻不容緩。因此，中國IGBT企業將迎來快速發展及進口替代的良好機遇。

　　日前，有華為內部人士透露，華為正開始研發IGBT，目前正在從某國內領先的IBGT廠商中挖人。在此之前，華為早已成為UPS電源的領軍企業，占據全球數據中心領域第一的市場份額，而IGBT作為能源變換與傳輸的核心器件，也是華為UPS電源的核心器件。另外，華為被被卷入中美貿易戰之前，華為所需的IGBT產品主要從英飛凌等IGBT原廠處采購，華為被列入實體清單后，有消息稱英飛凌在美國政府的施壓下曾暫停供貨，盡管英飛凌很快澄清了該傳聞，但這件事顯然給了華為一個重要警醒。

　　天眼查信息顯示，華為旗下的哈勃科技投資有限公司在今年8月份投資了山東天岳先進材料科技有限公司，持股10%。據悉，山東天岳是我國第三代半導體材料碳化硅龍頭企業。相對于傳統的硅材料，碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍；導熱率為硅的4-5倍，特別適于制造耐高溫、耐高壓，耐大電流的高頻大功率的器件。

　　在此之前，任正非也曾說過，華為不做股權投資，如果投資一定是戰略投資。不難看出，華為正在對高端功率半導體領域進行戰略投入，在其強有力的資金支持和技術優勢下，華為在IGBT領域定能有所突破。

　　不過，針對上述華為正在布局IGBT的消息，華為方面11月29日向證券時報·e公司記者表示，“這個暫無回應，如有進一步消息后續提供”。

　　這些上市公司已涉足

　　值得一的是，10月8日，工信部網站發文稱，將持續推進工業半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊產業發展。工信部表示，為解決工業半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊等核心部件的關鍵性技術問題，工信部等相關部門積極支持前述幾大領域關鍵技術攻關。一是2017年工信部推出“工業強基IGBT器件一條龍應用計劃”，針對新能源汽車、智能電網、軌道交通三大領域，重點支持IGBT設計、芯片制造、模塊生產及IDM、上游材料、生產設備制造等環節，促進IGBT及相關產業發展。二是指導湖南省建立功率半導體制造業創新中心建設，整合產業鏈上下游資源，協同攻關工業半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊領域關鍵共性技術。三是指導中國寬禁帶半導體及應用產業聯盟發布《中國IGBT技術與產業發展路線圖（2018-2030）》，引導我國IGBT行業技術升級，推動相關產業發展。

　　另外，10月17日，國電南瑞發布公告，擬與國網下屬科研單位全球能源互聯網研究院有限公司共同投資設立南瑞聯研功率半導體有限公司，國電南瑞以“IGBT模塊產業化項目”部分募資5.59億元出資，占比69.8%。

　　國電南端表示，IGBT是國家產業政策重點支持發展的功率半導體器件，技術難度大、研發及產線建設周期長、資金投入大,核心技術一直被國外企業壟斷，目前國內高端人才缺乏，國內僅有少量廠商開展高壓IGBT研制業務。

　　此外，證券時報·e公司梳理發現，目前上市公司中，比亞迪、臺基股份、士蘭微、中車時代電氣、揚杰科技、同方股份、中芯國際等公司均有涉足IGBT產業鏈。其中比亞迪已成為中國銷售額前三的IGBT供應商，累計申請IGBT相關專利約180件，其中授權專利約114件。