上海，2019年10月30日 – 富士通電子元器件（上海）有限公司今日宣布，推出型號為 MB85RS2MTY的 SPI 2Mbit FRAM（注一）。此款容量最高的FRAM產品能在高達攝氏125度的高溫下正常運作，其評測樣品（evaluation sample）現已開始供應。

　　此款FRAM非易失性內存在運作溫度范圍內能保證10兆次讀/寫次數，并支持實時記錄像駕駛數據或定位數據等，這類需要持續且頻繁的數據記錄。由于該內存屬于非易失性，并且具有高速寫入特點，即使遇到突然斷電的狀況，寫入的數據也能完整保留不會遺失。因此，這款產品適用于需在高溫環境下運作的應用，像是具有會產生大量熱能的引擎或馬達的汽車設備與工業機器人。

　　富士通電子在過去約20年量產各種FRAM非易失性內存產品，具備比EEPROM及閃存更高的讀∕寫耐久性、高速寫入速度及超低功耗。近幾年來，這些產品被廣泛應用于可穿戴裝置、工業機器人與無人機。

　　這款擁有2Mbit密度的產品采用SPI接口，支持從1.8v至3.6v的寬電壓范圍，且運作耐熱度可高達攝氏125度；即使在這樣的高溫環境也能保證10兆次的讀∕寫次數，相當于EEPROM的一千萬倍；最高運作頻率則達到50 MHz，比現有產品快1.5倍。此外，這些產品的可靠性測試符合AEC-Q100 Grade 1標準，達到被稱為“汽車級”產品的認證標準。

　　此款FRAM采用業界標準8-pin SOP封裝，使其能輕松取代現有類似腳位的EEPROM產品。此外，也提供擁有8-pin DFN（Dual Flatpack Non-leaded）的封裝。

　　富士通電子持續為IC卡、工業機械與消費性裝置提供數據寫入效能高于EEPROM的FRAM產品。能在最高攝氏125度環境下運作的FRAM產品自2017年起就已經量產，因此這類FRAM逐漸被廣泛應用在需要在高溫下維持運作與高可靠性的汽車及工業機械市場。此次富士通電子研發并推出最大容量的2 Mbit產品，借此強化可運作于高達125度的FRAM產品陣容。

　　圖三：MB85RS2MTY的主要特色

　　富士通電子將持續提供各種FRAM產品與解決方案，協助客戶提升各類應用的價值與便利性。

關鍵規格

　　組件型號：MB85RS2MTY

　　容量（組態）：2 Mbit（256K x 8位）

　　接口：SPI（Serial Peripheral Interface）

　　運作頻率：最高50 MHz

　　運作電壓：1.8伏特 - 3.6伏特

　　運作溫度范圍：攝氏零下40度 - 攝氏125度

　　讀∕寫耐用度：10兆次 (1013次)

　　封裝規格：8-pin SOP與8-pin DFN

　　認證標準：符合AEC-Q100 Grade 1

詞匯與備注

　　注一：鐵電隨機存取內存（FRAM）

　　FRAM是一種采用鐵電質薄膜作為電容器以儲存數據的內存，即便在沒有電源的情況下仍可保存數據。FRAM結合了ROM和RAM的特性，并擁有高速寫入數據、低功耗和高速讀/寫周期的優點。富士通自1999年即開始生產FRAM，亦稱為FeRAM。