近期，價格“跌跌不休”的NAND Flash(閃存芯片)市場，突然遇到了產業變動。7月初，日本經濟產業省宣布，自7月4日起，包括“氟聚酰亞胺”、“光刻膠”和“高純度氟化氫”3種材料將限制向韓國出口。

　　其中，光刻膠與NAND Flash等存儲芯片的生產制造相關。有手機從業者曾告訴記者，存儲已經超過屏幕、CPU，成為手機最大的成本，存儲在手機中的成本達到25%-35%，可見其重要性。

　　另一方面，6月底，東芝的NAND Flash的工廠突然斷電13分鐘，至今還未恢復正常運營。這些因素都對接下來NAND Flash的產能以及價格造成影響，因此也有傳聞稱接下來NAND Flash會漲價。

　　但是在業內看來，雖然降幅可能收窄，價格下跌的趨勢卻很難改變。集邦咨詢(TrendForce)研究協理陳玠瑋告訴記者：“預估NAND ASP 2019年將會下跌40%。”

　　閃存市場的兩起突發

　　具體來看，一方面日本對出口韓國的半導體管制變得嚴厲，自7月4日起，韓國的最惠國待遇就被取消了，對于氟聚酰亞胺等三種半導體材料的出口限制上，從原先的免申請出口許可，改為逐案審核，相關審查流程最長將達90個工作日。

　　據了解，光刻技術是芯片制造中重要的工藝，而光刻膠則是光刻技術實現的關鍵材料，是涂覆在半導體基板上的感光劑，占芯片制造成本約為7%。在光刻膠這一上游領域，日本企業占據壟斷地位。

　　在NAND Flash市場上，主要玩家有三星、東芝、西部數據、美光、SK 海力士、英特爾，其中三星陣營和東芝陣營占據了半壁江山。而日本的斷供，也將影響韓國三星和SK海力士的NAND Flash芯片制造，導致減產。

　　為了應對這一局面，業內也傳出消息稱，海力士正在和Intel談判，或收購大連工廠及3D NAND業務，從而補充產能。此外，韓國產業通商資源部提出了“復興戰略”，加強韓國國內的供應鏈，預計從2021年起，將對半導體材料、零組件、設備研發投入6兆韓元(約51億美元)的預算。

　　另一方面，東芝在6月遭遇斷電事故，5個工廠未能幸免，至今還未完全恢復，這也影響了NAND Flash的產能。而受傷的廠區也包括東芝和西部數據的合資廠，西部數據公開表示，約6ExaByte (EB)的產能受到影響。

　　陳玠瑋向記者表示：“對東芝NAND Flash產能影響至少達30%，但預計七月中旬就會恢復生產。”

　　除了以上的突發事故，另一巨頭美光的營收和產能也不理想。受到供大于求的環境背景、以及貿易摩擦的影響，美光2019財年Q3季度中，NAND營收大約占總營收的31%，營收環比下降18%，同比下降25%。為了進一步改善市場供需，美光決定將NAND Flash產出減少比例從原來的5%提高到了10%，還將削減2020年資本支出。

　　那么，面對今年NAND Flash產能減少的情況，三季度開始產品價格會上漲嗎?

　　下跌趨勢難反轉

　　有觀點認為，以上這兩個事件會對NAND Flash價格產生影響，甚至預計NAND Flash將漲價10%到15%。但是陳玠瑋告訴記者：“七月通路Wafer(晶圓)價格報價預計上漲至少10%，但成交價格可能不會上漲這么多，集邦咨詢預估NAND ASP 2019年將會下跌40%。”

　　另一方面，中國國內長江存儲也在擴張產能，據悉，長江存儲有望在2019年底前在武漢存儲基地大規模生產64層3DNAND，長江存儲正在武漢建設一座240億美元的半導體工廠。雖然與國際大廠相比，長江存儲的64層3D NAND仍落后，產能不算大，但是差距在迅速縮小，也將對NAND Flash市場的價格產生沖擊。

　　在2017年時，由于閃存等存儲芯片價格持續上漲，一度引發了包括手機、固態硬盤、內存條等產品的陸續漲價。直到2018年，供需關系發生變化，閃存價格一直下跌，2019年跌勢繼續。