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ICinsights:晶圓代工廠新常態(tài)

2019-02-27
關(guān)鍵詞: IC CMOS工藝 晶圓

IC產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步取決于IC制造商是否繼續(xù)提供更多先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的服務(wù)。


隨著主流CMOS工藝達(dá)到其理論,實(shí)踐和經(jīng)濟(jì)的極限,降低IC成本(基于每個(gè)功能或每個(gè)性能)比以往任何時(shí)候都更具挑戰(zhàn)性和挑戰(zhàn)性,這就驅(qū)使晶圓代工廠尋找更多的解決方法,不同于過往的工藝節(jié)點(diǎn)演進(jìn)就是其中之一。IC Insights最新的報(bào)告指出,現(xiàn)在晶圓廠提供的面向邏輯芯片的工藝技術(shù)比以往任何時(shí)候都多。圖1列出了公司目前使用的幾種領(lǐng)先的高級(jí)邏輯技術(shù)。由此可見,主要節(jié)點(diǎn)之間推行衍生版本技術(shù)已成為常規(guī)事件。

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下面我們來看一下目前主要晶圓廠的先進(jìn)工藝進(jìn)展:


英特爾:他們?cè)?018年末推出了代號(hào)為“Coffee Lake-S”的第九代處理器。英特爾稱這些處理器是新一代產(chǎn)品,但它們看起來更像是第八代產(chǎn)品的增強(qiáng)。雖然細(xì)節(jié)很少,但這些處理器似乎是在一個(gè)增強(qiáng)版本的14nm ++工藝(是14nm +++?)上制造的。


資料顯示,英特爾將于2019年推動(dòng)10nm工藝的大規(guī)模生產(chǎn),首批使用這個(gè)工藝的產(chǎn)品將是2018年12月推出的“Sunny Cove”系列處理器。從目前看來,Sunny Cove架構(gòu)基本上取代了應(yīng)該是原本計(jì)劃在2019年推出的10納米Cannon Lake架構(gòu)。預(yù)計(jì)到2020年,10nm +衍生工藝將進(jìn)入批量生產(chǎn)階段。


臺(tái)積電:臺(tái)積電的10nm finFET工藝于2016年底投入批量生產(chǎn),短短兩年間,他們已經(jīng)從10納米迅速發(fā)展至7納米。在臺(tái)積電看來,7nm產(chǎn)品將成為繼28nm和16nm之后的又一個(gè)長(zhǎng)壽命節(jié)點(diǎn)。


先進(jìn)工藝方面,臺(tái)積電5納米工藝正在開發(fā)中,預(yù)計(jì)將于2019年上半年進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段,并于2020年進(jìn)入量產(chǎn)。該工藝將使用EUV,但它不會(huì)是臺(tái)積電利用EUV技術(shù)的第一個(gè)工藝。根據(jù)臺(tái)積電規(guī)劃,他們將在7nm技術(shù)的改進(jìn)版本N7 +工藝的關(guān)鍵層(四層)上使用EUV光刻機(jī)。但N5工藝將廣泛使用EUV(最多14層)。N7 +計(jì)劃于2019年第二季度開始批量生產(chǎn)。


三星:在2018年初,三星宣布開始批量生產(chǎn)名為0LPP(low power plus)的第二代10nm工藝。在2018年晚些時(shí)候,三星推出了名為10LPU(low power ultimate)的第三代10nm工藝,從另一個(gè)角度實(shí)現(xiàn)性能提升。與臺(tái)積電不同的是,三星在10nm工藝上使用三重圖案光刻技術(shù),且三星認(rèn)為其10納米工藝系列(包括8納米衍生產(chǎn)品)的生命周期將會(huì)很長(zhǎng)。


三星的7nm技術(shù)于2018年10月投入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)。與臺(tái)積電不一樣,三星不再提供采用浸沒式光刻技術(shù)的7nm工藝,而是決定直接上馬EUV的。據(jù)了解,三星該將EUV用于7nm的8-10層。


格芯:格芯公司將其22nm FD-SOI工藝視為其主要市場(chǎng),并與其14nm finFET技術(shù)相輔相成。按照他們的說法,22FDX平臺(tái)的性能與finFET非常接近,但制造成本與28nm技術(shù)相同。


2018年8月,GlobalFoundries宣布將停止7nm開發(fā)。按照他們的說法,做出這個(gè)決定一方面是因?yàn)橄冗M(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的生產(chǎn)成本大幅增加,另一方面是太少的代工客戶計(jì)劃使用下一代工藝,因此他們對(duì)其戰(zhàn)略進(jìn)行了重大轉(zhuǎn)變。公司也調(diào)整了其研發(fā)工作,以進(jìn)一步增強(qiáng)其14nm和12nm finFET工藝及其完全耗盡的SOI技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)力。


五十年來,集成電路技術(shù)的生產(chǎn)率和性能得到了驚人的改善。該行業(yè)也克服了很多擺在它面前的許多障礙。但雖在時(shí)間的推進(jìn),障礙似乎仍在不斷擴(kuò)大。盡管如此,IC設(shè)計(jì)人員和制造商正在開發(fā)比增加芯片功能更具革命性的解決方案。


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