晶圓代工巨頭企業三星、臺積電和GF（格芯），在半導體工藝的發展上越來越迅猛，10nm制程才剛剛應用一年半，7nm制程便已經好似近在眼前。
在業界盛行的摩爾定律將死的論調下，如此猛烈的突擊7nm制程需要克服怎樣的困難？幾方大佬又是如何布局這一關鍵節點？
詳解7nm工藝，三星，臺積電，英特爾，格羅方德真不容易
Intel
作為全球最大的半導體企業，Intel在半導體工藝方面一直保持著領先地位，并且引領了大量全新技術的發展。不過近幾年，Intel半導體工藝的發展速度似乎逐漸慢了下來，比如14nm工藝竟然用了三代，10nm工藝也被競爭對手搶先。
由于晶體管制造的復雜性，每代晶體管工藝中有面向不同用途的制造技術版本，不同廠商的代次之間統計算法也完全不同，單純用代次來對比是不準確的。目前業內常用晶體管密度來衡量制程水平，實際上，Intel最新10nm制程的晶體管密度甚至反而要比三星、臺積電的7nm制程更高。
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根據Intel公布的晶體管密度表格，其45nm制程的晶體管密度約為3.3MTr/mm?（百萬晶體管每平方毫米），32nm為7.5MTr/mm?，22nm為15.3MTr/mm?，上升倍數大約為2.1倍。但是14nm時晶體管密度大幅提升了2.5倍，為37.5MTr/mm?，10nm更是比14nm提升了2.7倍之多，達到100.8MTr/mm?。
根據後藤弘茂的分析，如果將Intel、臺積電、三星和GF近些年制程的特征尺寸放在一起對比，也可以看出Intel的14nm制程確實要優于三星和GF的14nm LPP以及臺積電的16nm FinFET，僅略輸于三星早期的10nm制程。
Intel的10nm制程則更是全面勝過臺積電和三星的10nm制程，甚至比臺積電和GF的第一批7nm DUV都要更好。雖然不如三星和GF的第二批7nm EUV制程，但Intel肯定也會深挖10nm制程，第二代10nm趕超三星和GF的7nm EUV也不是不可能。
臺積電在7nm上選擇了求穩路線，并沒有急于進入極紫外光刻時代。臺積電表示將繼續使用DUV光刻，利用沉浸式光刻和多重曝光等技術平滑進入7nm時代，然后再轉換到EUV光刻。
臺積電使用DUV光刻的第一代7nm FinFET已經在2017年第二季度進入試產階段。
與目前的10nm FinFET制程相比，7nm FinFET將可在晶體管數量的情況下使芯片尺寸37％，或在電路復雜度相同的情況下降低40％的功耗。
在接下來的第二代7nm FinFET+制程上，臺積電將開始使用EUV光刻。針對EUV優化的布線密度可帶來約10~20％的面積減少，或在電路復雜度相同的情況下，相比7nm FinFET再降低10％的功耗。
而根據後藤弘茂的分析，臺積電7nm DUV的特征尺寸介于臺積電10nm FinFET和三星7nm EUV之間，Metal Pitch特征尺寸40nm，Gate Pitch特征尺寸尚不明確，但必定小于10nm時的66nm。
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三星
作為芯片代工行業的后來者，三星是“全球IBM制造技術聯盟”中激進派的代表，早早就宣布了7nm時代將采用EUV。今年4月，三星剛剛宣布已經完成了7nm新工藝的研發，并成功試產了7nm EUV晶元，比原進度提早了半年。
據日本PC WATCH網站上後藤弘茂的分析，三星7nm EUV的特征尺寸為44nm*36nm（Gate Pitch*Metal Pitch），僅為10nm DUV工藝的一半左右。除了一步到位的7nm EUV外，三星還規劃了一種8nm制程。這個制程實際上是使用DUV光刻+多重曝光生產的7nm制程，繼承所有10nm工藝上的技術和特性。
由于DUV光刻的分辨率較差，因而芯片的電氣性能不如使用7nm EUV，所以三星為其商業命名為8nm。從這一點來看，8nm相比現有的10nm，很可能在晶體管密度、性能、功耗等方面做出了終極的優化，基本上可看做深紫外光刻下的技術極限了。
根據三星的路線，三星將于今年下半年試產7nm EUV晶元，大規模投產時間為2019年秋季。8nm制程大約在2019年第一季度登場，而6nm制程應該會在2020年后出現。
GF
GF此前曾是AMD自家的半導體工廠，后由于AMD資金問題而拆分獨立。
GF同樣屬于IBM“全球IBM制造技術聯盟”的一員，其半導體工藝和三星同宗同源。然而GF在28nm、14nm兩個節點上都遇到了重大技術難題，不得不向“后來者”三星購買生產技術。
GF在14nm之后決定放棄10nm節點，直接向7nm制程進軍。雖然這個決策稍顯激進，但GF也明白步子大了容易扯到啥的道理，決定在光刻技術上穩中求進，使用現有的DUV光刻技術實現第一代7nm工藝的制造，隨后再使用EUV光刻進行兩次升級迭代。
去年7月曾報道過GF名為7LP的7nm DUV制程細節，據其在阿爾伯尼紐約州立大學理工學院負責評估多重光刻技術的George Gomba以及其他IBM的同事透露，GF將在第一代7nm DUV產品上，使用四重光刻法。
相比之前的14nm LPP制程，7LP制程在功率和晶體管數量相同的前提下，可以帶來40%的效率提升，或者在頻率和復雜性相同的情況下，將功耗降低60%。
但受限于四重光刻這一復雜流程，GF表示根據不同應用場景，7LP只能將芯片功耗降低30~45%。
可以看到，GF的7nm DUV特征尺寸為56nm*40nm（Gate Pitch*Metal Pitch），應當與臺積電7nm DUV的基本相當。而7nm EUV的特征尺寸為44nm*36nm，與三星7nm EUV完全一致。