2016年氮化鎵(GaN)功率元件產(chǎn)業(yè)規(guī)模約為1,200萬美元，研究機(jī)構(gòu)Yole Développemen研究顯示預(yù)計(jì)到2022年該市場將成長到4.6億美元，年復(fù)合成長率高達(dá)79%。包括LiDAR、無線功率和封包追蹤等應(yīng)用，尤其是高階低/中壓應(yīng)用，GaN技術(shù)是滿足其特定需求的唯一現(xiàn)有解決方案。
雖然目前只有少數(shù)廠商展示商業(yè)化的GaN技術(shù)，但事實(shí)上已有許多公司投入GaN技術(shù)。因此，功率GaN供應(yīng)鏈逐步發(fā)展中，在2016~2017年期間，Yole分析師發(fā)現(xiàn)很多支持GaN元件開發(fā)和商品化的投資。Yole將GaN電源供應(yīng)??鏈劃分為兩個主要模型：IDM和代工廠。
目前的GaN元件市場主要由支持200V以下應(yīng)用的元件為主。預(yù)計(jì)600V元件將起飛并保持成長。但是，當(dāng)GaN開始取代不同應(yīng)用中的MOSFET并實(shí)現(xiàn)新的應(yīng)用時(shí)，200V以下元件的市場比重將再次增加，硅基GaN氮化鎵一直是一個有前途的解決方案，因?yàn)槠渑cCMOS制程的相容性和降低成本的潛力。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時(shí)通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當(dāng)措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。