就在今天，東芝內存與西部數據一起為日本三重縣四日市的一座Fab 6半導體工廠與內存研發中心舉行了慶祝儀式。該工廠是一座Fab 6工廠，專門用來制造3D閃存，由東芝與西部數據合作打造，該工廠投產意味著東芝/西數的3D閃存產能進一步提速。
不止東芝和西部數據，幾大主要的Flash原廠近來在3D NAND領域都摩拳擦掌，意圖搶占先機。去年，三星、東芝/西部數據、美光、SK海力士等3D NAND技術主要是提升到64層/72層3D NAND量產，并逐步提高3D NAND生產比重，加速2D NAND向3D NAND過渡，今年幾大Flash原廠主要完成向96層QLC技術的升級，NAND Flash成本下滑，產量增加。
東芝/西部數據
東芝西數在全球NAND市場上的份額合計超過40%，而主要生產基地就在日本。雙方都十分看好3D閃存市場的發展，認為未來幾年需求將持續增長，因此東芝于去年2月份開始建造Fab 6工廠，總投資5000億日元，折合約45億美元，在這起投資中，收購了閃迪公司的西數公司盡管與東芝公司因為NAND業務出售一事鬧的不開心，但雙方在晶圓廠投資上并沒有撕破臉，而這次新工廠落成也意味著兩家公司早就相逢一笑泯恩仇了。另外，除了Fab 6晶圓廠之外，東芝、西數還在工廠附近建設了新的NAND閃存研發中心，今年3月份已經投入運營。
東芝、西數的Fab 6工廠本月初就已經開始生產3D NAND閃存了，重點就是新一代的BiCS 4技術96層堆棧3D閃存，其中有TLC類型的閃存，但新一代的QLC閃存無疑也是Fab 6工廠的重點，在這方面，東芝/西數選擇的BiCS技術路線跟其他家的NAND閃存都不同，一直以來容量密度都是業界最好水平之一，這次的QLC閃存核心容量是1.33Tb，比之前美光、英特爾公布的1Tb核心大了33%。
基于1.33Tb核心的QLC閃存，東芝已經開發出了16核心的單芯片閃存，一顆閃存的容量就有2.66TB，大家還記得東芝之前發布的RC100系列硬盤嗎，它使用的就是單芯片封裝，一顆閃存最大容量才480GB，現在QLC閃存的幫助下單芯片封裝實現了2.66TB的容量，是之前的5倍多。
東芝、西數的QLC閃存今年下半年已經陸續出樣，年底可能會有QLC硬盤商業化，不過大規模量產及上市還要等到2019年。
東芝內存CEO毛康雄(Yasuo Naruke)在東芝內存及其合資伙伴西部數據舉辦的新聞發布會上表示：“短期內的價格波動是供需平衡的體現，但我們正在解決長期需求問題，這些需求受到強大的智能手機和數據中心所帶來的數據存儲量增長的推動。”
三星
2018年7月份，三星電子宣布開始批量生產第五代V-NAND 3D堆疊閃存，內部集成了超過850億個3D TLC CTF閃存存儲單元，每單元可保存3比特數據，單Die容量達56Gb(32GB)。它還業內首次使用了Toggle DDR 4.0接口界面，在存儲與內存之間的數據傳輸率高達1.4Gbps，比上代64層堆疊提升了40％，同時電壓從1.8V降至1.2V，能效大大提高。
三星的第五代V-NAND技術在性能方面其實也有不小的改進，它采用的Toggle DDR 4.0接口運行速率已經從上一代3D NAND的800Mbps提升到了1.4Gbps，同時工作電壓也從1.8V降低至1.2V，可以抵消掉接口提速帶來的能耗上升。此外讀寫延遲也有所下降，其讀取延遲已壓縮到50微秒，寫入延遲降低30%達到500微秒。
關于這一代3D NAND的制程技術改進細節三星并沒有透露多少，目前可知的是每個存儲層的厚度已經削薄了20%，以及文首處提及的30%產能提升。三星首批第五代3D NAND顆粒為256Gb TLC，是消費市場和手機存儲里常見的規格，對它來說優先考慮需求量大的市場是必然的選擇，至于供應服務器和數據中心SSD的1Tb QLC NAND之后再說。
美光
美光曾在2018年第三季度的財報中明確表示，確定在2018下半年96層堆疊的3D NAND將批量出貨。全新的96層3D NAND技術已經是第三代技術，而且美光也明確表示，將開發超過120層的第四代3D NAND。而且全新的采用96層 3D NAND的固態硬盤成本也會進一步下降。
可是至今美光都未正式發布第三代96層堆疊3D TLC NAND閃存顆粒，不過在今年6月份的臺北電腦展上，聯蕓和慧榮兩家主控廠商按耐不住，展示了搭配美光閃存顆粒的SSD原型。
SK海力士
2017年底，SK海力士開始正式研發96層堆疊的3D NAND。SK海力士曾投資15萬億韓元（約135億美元）在清州建設M15工廠，主要生產72層和96層3D NAND閃存。本月早些時候，外媒報道，M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。據悉，這一完工日期比原計劃提前了近6個月。但疑似受到最近韓國政經情勢影響，SK海力士決定將落成典禮延至10月初舉行。M15工廠建成后，SK海力士計劃從明年初開始增產96層3D NAND閃存。
從目前來看，韓國、日本和美國的半導體存儲器公司在96層3D NAND閃存的競爭將進一步加劇。而在國內，中國的長江存儲在3D NAND閃存方面也已經取得了重要突破。紫光集團聯席總裁刁石京曾透露，中國首批擁有自主知識產權的32層3D NAND閃存芯片將于今年第四季度實現量產。此外，64層3D NAND閃存芯片研發也在緊鑼密鼓地進行，計劃2019年實現量產。