國產(chǎn)內(nèi)存制造商紫光國微在深交所互動平臺上表示，目前國產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片正在順利研發(fā)中，紫光國微預計今年底就可以將DDR4內(nèi)存顆粒推向市場。
之前紫光國微副總裁杜林虎已經(jīng)表示，未來紫光國微會在DRAM存儲器芯片產(chǎn)品方面加大投入，對于公司來說，DDR3內(nèi)存芯片是主流，而DDR4芯片會在年內(nèi)完成設計和生產(chǎn)。
紫光DDR4內(nèi)存采用DIMM（U－DIMM）和SO－DIMM開發(fā)。U型DIMM是“SCQ04GU03AF1C－21P”、“SCQ04GE03AF1C－21P”，SO－DIMM的2個型號為“SCQ04GS03AF1C－21P”、“SCQ08GS13AF1C－21P”。
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