今年下半年，隨著長江存儲、福建晉華、合肥長鑫國內(nèi)三大存儲廠商相繼進入試產(chǎn)階段，中國存儲產(chǎn)業(yè)將迎來發(fā)展的關(guān)鍵階段。業(yè)界認為，國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期雖難大舉撼動全球版圖，但或?qū)θ虼鎯κ袌鰞r格走勢造成影響。

　　而隨著中美貿(mào)易局勢的緊張，以及中國監(jiān)管機構(gòu)正式啟動對三星、美光、SK海力士等存儲機構(gòu)的反壟斷調(diào)查，中國存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也愈發(fā)受到關(guān)注。

　　目前，中國存儲器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注于移動式內(nèi)存的合肥長鑫，以及致力于利基型內(nèi)存的福建晉華三大陣營。

　　近期傳出合肥長鑫投產(chǎn)8Gb LPDDR4規(guī)格的DRAM芯片，被視為我國DRAM產(chǎn)業(yè)的里程碑。盡管相關(guān)訊息尚未獲得官方確認，但在今年四月的一次公開活動上，合肥長鑫CEO王寧國表示，計劃將于今年年底前推出8GB DDR4工程樣品，2019年Q3正式推出8GB LPDDR4，當(dāng)年年底達到2萬片的月產(chǎn)能。

　　從目前三家廠商的進度看，其試產(chǎn)時間預(yù)計將在2018年下半年，量產(chǎn)時間可能會集中在2019年上半年。有臺灣媒體分析稱，2019年量產(chǎn)進度能否順利推動，將成為我國存儲產(chǎn)業(yè)能否站上世界舞臺的重要標(biāo)志。

　　業(yè)界認為，我國發(fā)展DRAM技術(shù)的挑戰(zhàn)性較高，隨著量產(chǎn)時點的臨近，專利糾紛或國際訴訟甚至競爭對手的干擾也將伴隨而來。此前，美光已經(jīng)通過采取限制供應(yīng)商供貨的行為對晉華進行打壓，雙方互訴也在進行之中。

　　來自臺灣的分析人士指出，紫光集團旗下的長江存儲發(fā)展情勢較為樂觀，已獲得首筆超過1萬顆的晶片訂單，但32層3D NAND Flash量產(chǎn)規(guī)模仍有限，單月僅約5,000片，長江存儲的研發(fā)重點將集中于64層3D NAND Flash，目標(biāo)2018年底前推出第一個產(chǎn)品樣本。

　　長江存儲在64層3D NAND制程開發(fā)完成后，可望展開大規(guī)模投片計劃，預(yù)計2020年產(chǎn)能快速推進至單月10萬片，未來長江存儲旗下3座廠房將可達到單月35萬~40萬片產(chǎn)能，屆時市占率有機會挑戰(zhàn)10%。

　　另有分析人士指出，合肥長鑫宣稱目標(biāo)在于19納米的DRAM內(nèi)存，初期產(chǎn)品良率目標(biāo)為不低于10%，這意味著從初期試產(chǎn)進入穩(wěn)定量產(chǎn)還有漫漫長路，加上合肥長鑫發(fā)展的DDR4移動式內(nèi)存為市場主流，未來恐難逃大廠專利的鉗制。

　　該人士表示，國內(nèi)存儲廠商量產(chǎn)初期的規(guī)模雖難撼動三大龍頭廠商的地位，但短期內(nèi)將對市場價格造成沖擊，如果發(fā)展順利，預(yù)計2020~2021年起，中國存儲產(chǎn)業(yè)將開始取得全球產(chǎn)業(yè)話語權(quán)。