近日，據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù)預測，2018年NAND Flash行業(yè)的資本支出（CAPEX）將比預期產(chǎn)量增加40%以上，從2017年的220億美元增至2018年的310億美元，屬于近8年來的最大增幅。

　　其中，3D NAND的市場需求，成為驅(qū)動NAND閃存資本支出激增的主要因素之一。3D NAND閃存技術采用堆疊的方式處理設備層關系，可以使得每顆芯片的儲存容量增加，從而實現(xiàn)更大的結(jié)構(gòu)和單元間隔，利于增加產(chǎn)品的耐用性、降低生產(chǎn)成本。因此深受NAND閃存廠商的追捧，目前已成為NAND閃存廠商的主攻方向。

　　首先，我們需要先理解一個概念：資本性支出（CAPEX）。大量的CAPEX通常預示著有新的項目即將開始，生產(chǎn)和銷售上都會出現(xiàn)巨大增長。與運營投資相反，CAPEX項目運行期間公司需要一直投錢，以此孕育未來的長期收益。因此，2018年NAND Flash行業(yè)的資本支出實現(xiàn)8年以來的最大增幅，表面了全球存儲器廠商對閃存市場的持續(xù)看好與積極投入，NAND Flash市場有望被全面打開。

　　到底是哪些芯片廠商全面看好NAND閃存，正大刀闊斧地加碼3D NAND閃存產(chǎn)能？

　　一方面，國際閃存大廠的3D NAND堆疊大戰(zhàn)正在如火如荼地進行中。今年6月下旬，美光公布了2018財年第三季度的結(jié)果，同時也公布未來的發(fā)展方向，預告在2018年下半年96層3D NAND技術將會開始批量出貨，可進一步增加每個芯片的儲存容量，從而能夠打造出更小，更節(jié)能的設備。兩周后，三星也高調(diào)宣布已開始量產(chǎn)第五代3D NAND閃存顆粒，層疊層數(shù)為96層，產(chǎn)能得到30%的提升。同時，根據(jù)消息人士透露，三星今年投資在NAND Flash閃存上的資本支出預計是64億美元，2019年更是會提高到90億美元。

　　美光、三星釋放信號僅是個開端，SK海力士、Intel、東芝、西數(shù)/閃迪等都表態(tài)在幾年內(nèi)將持續(xù)擴充閃存產(chǎn)能，為跨入96層、甚至更高層數(shù)而加大投入力度。可見，3D NAND閃存已經(jīng)成為國際存儲器廠商間的“主戰(zhàn)場”。

　　另一方面，以長江存儲為代表的中國存儲器廠商，也加快了項目進展的步伐。據(jù)公開資料顯示，由長江存儲主導的國家存儲器基地已于2018年4月11日，正式進場安裝生產(chǎn)設備。同時，專注于行動式內(nèi)存的合肥長鑫，以及晉華集成的試產(chǎn)時間也調(diào)快至2018年下半年。可以說，2018年或?qū)⒊蔀橹袊鎯ζ鞯纳a(chǎn)元年。

　　當然，全球的NAND閃存資本支出大增，只能印證NAND閃存行業(yè)投資景氣的上升，今后存儲器的市場表現(xiàn)如何，還需要時間來證明。畢竟在存儲器市場的歷史先例里，過多的資本支出通常會導致產(chǎn)能過剩和定價疲軟，投資風險還是存在的。

　　因此，思考當前取得的競爭優(yōu)勢，當前的技術還有哪些用武之地，以及今后的發(fā)展方向，為下一次發(fā)展奠定基礎。這對國產(chǎn)存儲器廠商來說，仍然具有深遠意義。