中國最大的晶圓代工廠中芯國際目前最新的 14 納米 FinFET 制程已接近研發完成階段，其試產的良率已經可以達到 95%。距離 2019 年正式量產的目標似乎已經不遠了。但半導體人才儲備不足依然是中芯國際面臨的重要問題。

　　中芯國際與一線陣營代差巨大

　　中芯國際成立于 2000 年，是中國大陸技術最全面、配套最完善、規模最大的集成電路制造企業，成立以來就專注做半導體芯片。在外界看來，中芯國際就是“中國芯”的代表。

　　但是中芯國際目前最先進的制程為 28 納米，而從 2018 年第一季的財報來看，28 納米占其營收不過 3.2%，相較聯電、英特爾等先進制程發展較慢的廠商來說，落后的一個世代以上，更罔論與先進制程開發進度較快的臺積電、格羅方德、三星等企業已經準備切入 7 納米制程相較。

　　截至 2017 年第二季度末，臺積電 28 納米以下的中高端制程芯片已經占總收入的 54%，40 納米以下占 67%。而中芯國際 2017 年收入貢獻度最高的還是來自于 90 納米及以下的制程技術，占比達到 50.7%。2017 年中芯 14 納米技術的研發也才到關鍵的突破期，尚未完成開發。由此可見，當中芯國際還在 28 納米掙扎時，臺積電的技術已經至少遙遙領先三代。

　　為了追趕這樣的落差，中芯國際不但在 2017 年底延攬三星電子及臺積電的前高層梁孟松來擔任聯席首席執行長的職務，主要就是希望借助他過去的經驗，指導中芯國際在發展 14 納米 FinFET 制程上的進程，使中芯國際的 14 納米 FinFET 制程能在 2019 年達成量產的目標。

　　中芯國際在今年初還宣布，將聯同兩大政府產業基金共同投資 102.4 億美元，以加快 14 納米及以下先進制程研發和量產計劃，最終達成每月量產 3.5 萬片的目標。如今，在中芯國際的 14 納米 FinFET 制程達到良率 95% 的情況下，等于是向目標又邁進了一大步。

　　人才缺失導致行業發展緩慢

　　中芯國際在自主芯片的道路上摸索前行 18 年，還是未能進入一線陣營。除了與競爭對手臺積電等巨頭相比研發進展較慢之外，另個一個重要原因就在于高端芯片人才儲備的不足，這不但是中芯國際發展的阻礙，也是整個中國芯片產業普遍存在的問題。人才儲備與培養比較薄弱，是我國芯片半導體產業與國際頂尖水平相比仍有明顯差距的一個關鍵因素。

　　2017 年工業和信息化部軟件與集成電路促進中心發布的《中國集成電路產業人才白皮書(2016-2017)》介紹，目前需要 70 萬人投入到該產業中來，人才的不足導致我國集成電路產業的自主創新緩慢。

　　作為首批國家集成電路人才培養基地之一的東南大學，這些年來正在為集成電路領域培養大批人才。東南大學集成電路相關的專業招生在急劇增加，在培養碩士方面，微電子學院的招生名額已經從前幾年的 200 多人，增加到了去年的 400 多人。華中科技大學在集成電路人才培養方面，去年也增加了 120 名非全日制工程碩士生名額，今年計劃擴大 50% 的博士招生計劃。

　　然而遠水解不了近渴，集成電路產業是一個技術密集型、人才密集型和資金密集型產業，其產業鏈包括設計、制造、封裝、測試、設備和材料等多個環節。這個行業強調經驗積累，人才的培養并非一朝一夕。因此在短時間內，中國芯片產業依然無法擺脫人才不足的窘境。

　　如何擺脫“空芯”之痛？

　　中興通訊事情雖落下帷幕，但沒有核心技術必然“如鯁在喉”。核心技術受制于人，中國制造 2025 的根基就不牢。

　　芯片產業的發展需要投入大量的人力、物力、財力，而且這些投入在短期內難以看到成效，單個企業的單打獨斗是遠遠不夠的。說到底，集成電路產業是一個國家綜合國力的比拼。

　　雖然如今的“芯片熱”集聚了一些政策、資金等資源在集成電路產業，可以起到吸引人才的作用，但要想突破我國集成電路產業人才瓶頸，還需要考慮更長遠的戰略，讓“芯片熱”不只是一陣風。另外，基于集成電路全球化產業特征，人才的全球化流動是必然趨勢。在我國產業水平相對落后的情況下，應加大吸引全球優秀集成電路人才的力度。

　　隨著 2014 年《國家集成電路產業發展推進綱要》發布，國家集成電路產業投資基金成立，我國正加大對龍頭企業的扶持，鼓勵企業增加對重點領域關鍵技術的研發投入。在產學研用協同機制方面，業界也在積極探索。隨著創新投入的不斷加大、創新機制的日益完善、知識產權意識的逐漸提高，我國芯片產業能早日去除“空芯”之痛。