《電子技術應用》
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D類放大器pop-click噪聲抑制和飽和失真補償技術
2018年電子技術應用第5期
鄭 浩,劉延飛,王秋妍,楊晶晶,楊東東
火箭軍工程大學,陜西 西安710025
摘要: 基于移動設備應用,在D類放大器設計中提出爆裂和咔嚓(pop-click)噪聲抑制及飽和失真補償技術。通過檢測電源電壓,順序控制前置放大器、功率級驅動電路,并在放大器輸出與地之間提供放電通道,有效減小爆裂和咔嚓噪聲幅度;在反饋環路結構D類功率放大器中,音頻輸入信號幅度過大,導致放大器輸出飽和失真,通過對脈沖寬度調制器輸出進行補償,可有效降低放大器的飽和失真,亦可消除因功率晶體管導通時間過長,而導致功率管發生熱損壞的風險。采用上述技術的D類功率放大器在0.35 μm CMOS工藝技術上實現,在電源電壓為3.6 V時,放大器pop-click噪聲幅度為2.0 mV,THD+N為0.025%。
中圖分類號: TN432
文獻標識碼: A
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.174148
中文引用格式: 鄭浩,劉延飛,王秋妍,等. D類放大器pop-click噪聲抑制和飽和失真補償技術[J].電子技術應用,2018,44(5):25-28.
英文引用格式: Zheng Hao,Liu Yanfei,Wang Qiuyan,et al. Techniques of pop-click noise suppression and saturation distortion compensation for class-D power amplifier[J]. Application of Electronic Technique,2018,44(5):25-28.
Techniques of pop-click noise suppression and saturation distortion compensation for class-D power amplifier
Zheng Hao,Liu Yanfei,Wang Qiuyan,Yang Jingjing,Yang Dongdong
Rocket Forces University of Engineering,Xi′an 710025,China
Abstract: The circuit techniques that suppress pop-click noise and reduce saturation distortion are presented for class D amplifier in mobile application. Pop-click noise level is effectively suppressed by detecting power voltage, controlling preamplifier and driver circuits of power stage in sequence, and providing discharge path between amplifier output and ground. Meanwhile, in class D power amplifier with feedback loop structure, the integrator is easy to saturate when a large amplitude signal is fed into the input terminal of the amplifier. Consequently, the saturation distortion is generated in amplifier output when the pulse width modulator fails to modulate input signal due to integrator saturation. The compensation technique in the pulse width modulator output can effectively reduce the saturation distortion, and also eliminate the risk of the transistor switch thermal damage due to power MOSFET still on state. The proposed class D amplifier with the above features was fabricated with 0.35 μm CMOS process. Pop-click noise level of 1.5 mV,THD+N of 0.025% can be achieved in 3.6 V power supply.
Key words : class-D amplifier;filterless;pop-click noise;saturation distortion

0 引言

    在移動設備應用中,D類放大器與電池輸出直接連接成為一種普遍的需求[1-2]。盡管已公開報道[1-2]無濾波D類放大器在效率以及動態范圍方面都具有良好的特性,但爆裂和咔嚓(pop-click)噪聲一直限制無濾波D類放大器在移動設備中的實際應用[3]。因此,與電池直接連接無濾波D類放大器設計中,抑制pop-click噪聲一直是設計難點。其次,應用于移動設備的D類功率放大器,系統結構常采用閉環結構以提高放大器性能,放大器的輸出(Vout)被反饋回來與輸入音頻信號進行疊加,形成閉環結構,反饋系統本身既能提高對電源和襯底噪聲的抑制能力,又能降低放大器的線性失真。然而,由于輸入信號與反饋信號通過積分器進行疊加,當輸入信號幅度較大時,積分器輸出容易飽和,而調制波形Vtri一般不能全電壓范圍調制,導致脈沖調制器調制失效,脈沖調制器輸出多個調制周期恒為高電平或低電平。結果,D類放大器的功率開關經歷多個周期導通或關斷,輸出波形產生嚴重飽和失真,且極易造成功率器件因長時間導通而導致熱損壞。

    根據上述設計需求,本文給出基于移動設備應用,在D類放大器設計中,提出能夠抑制pop-click噪聲的方法,以及減小積分器飽和失真的補償電路技術。文章首先給出pop-click噪聲產生的機理和抑制pop-click噪聲的具體電路實現方式,以及降低積分器飽和失真的具體電路實現方法,然后給出放大器的測試結果,最后進行總結。

1 電路設計

    本設計提出的D類放大器系統框圖如圖1所示。主要由pop-click噪聲抑制電路、脈沖寬度調制(PWM)補償電路、前級放大器、積分器、振蕩器和功率級等組成。本文主要就pop-click噪聲抑制電路和PWM補償電路進行詳細的討論。

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1.1 pop-click噪聲抑制電路

    pop-click噪聲的最大電平是音頻放大器性能重要指標,在放大器電源上電或去電時容易產生此噪聲,而人耳剛好對該噪聲敏感,盡可能減小或抑制放大器pop-click噪聲是D類放大器設計的關鍵。當放大器上電或去電時,D類放大器的pop-click噪聲產生主要來自兩個方面[3]:一是放大器的直流失調,另一個是PWM脈沖的突然開啟和關閉。放大器的直流失調電壓在開機時突然應用到放大器的輸出或者在關機時突然消失,PWM脈沖的突然產生或突然消失,在D類放大器的輸出端產生一個過渡階段,引起的pop-click噪聲電平開始很大,然后由于負反饋環路的抑制作用逐漸消失,這個過程盡管很短,但人耳仍然能夠聽到。為避免人耳聽到這些噪聲,研究人員提供多種有效的措施。從公開的報道來看,有以下幾種技術:文獻[4]通過在音頻放大器的電源電壓管腳放置(RC)濾波電路或者采用模擬開關把直流電源接入放大器電源管腳,該方法由于不易集成,且會造成系統功耗和成本的額外消耗,應用場合受限;文獻[5]給出單端輸入音頻信號放大器的抑制pop-click噪聲的方法,該方法通過快速調整放大器輸入級共模電平以及在放大器的調制級引入虛擬開關為建立偏置和反饋電壓/電流(BFVC)提供開關信號。文獻[3]通過引入可編程輔助驅動器反饋回路來抑制pop-click噪聲,以及調整驅動器的驅動能力來開啟放大器的功率開關。上述兩種利用反饋技術抑制pop-click噪聲,由于反饋網絡存在環路調整過程,如果環路響應時間慢,對抑制pop-click噪聲效果較差,而環路響應太快,則易引起放大器環路不穩定;因此為抑制pop-click噪聲,在放大器中引入反饋網絡會造成電路設計復雜以及功耗的增加,因此并不實用。綜合上述考慮,本文將給出一種簡單而實用的可單片集成抑制pop-click噪聲方式。

    圖1中,為消除D類放大器的前級放大器輸入失調電壓引起的pop-click噪聲,內部集成時序邏輯控制電路,工作過程如下:第一階段,電路上電過程中,如果電源電壓低于閾值電壓Vref1,芯片處于關斷階段,此時放大器的前置放大器、積分器、PWM調制器、功率開關均處于關閉階段,放大器無輸出。第二階段:外接耦合電容快速充電過程,當電源電壓高于閾值電壓Vref1,欠壓鎖定(UVLO)輸出高電平,開啟前置放大器中內部偏置電路,偏置電路快速給外接耦合電容充電,耦合電容上電壓快速達到共模電平(本設計為VDD/2),為避免在給外接電容充電過程中,放大器輸出端產生失調信號,開關S1,S2處于閉合狀態,前置放大器差分輸入為0,同時放大器的反饋電阻R3、R4短路,因此,全差分放大器(FDA)的差分輸出為零,電路如圖2所示。第三階段:耦合電容上共模電壓矯正階段,UVLO信號經過延遲時間(TD1),圖2中,開關S1關閉,S2保持開啟狀態,功率晶體管處于關閉輸出高阻狀態(揚聲器處于“安靜”狀態)。此時,音頻輸入信號進入放大器FDA1的輸入端,消除前置放大器輸入直流失調電壓,抑制PWM比較器產生咔嚓噪聲脈沖。第四階段:開啟功率級開關階段,S1關閉,S2關閉,前置放大器正常放大輸入音頻信號,前置放大器的輸出信號進入到積分器和PWM調制器進行調制。最后,S2通過時間延遲TD3后CTL_DRI變為高電平,開啟PWM調制器以及功率開關,使輸出PWM波通過功率開關供給負載,整個芯片正常工作。該方法無反饋回路,故不會影響放大器環路的穩定性。同理,在放大器電源電壓去電階段,芯片內部通過檢測電源電壓,當電源電壓低于閾值Vref2時,欠壓保護電路產生關斷信號,首先經過延遲時間TD4關閉前置放大器和積分器電路,積分器的輸出電壓逐漸減?。ǚe分電容放電過程),PWM調制的輸出脈沖逐漸變窄,揚聲器輸出聲音逐漸消失,避免整個芯片瞬間關斷,揚聲器產生爆裂噪聲,圖3給出本設計時序圖。

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    圖4給出抑制pop-click噪聲電路框圖,由UVLO電路模塊和數字時間延遲單元構成。其中UVLO電路模塊如圖5(a)所示,由電阻分壓電路,失調比較器,反相器鏈構成,其中電阻分壓電路采樣電源電壓,失調比較器產生遲滯閾值電壓,圖5(b)給出失調比較器電路圖,失調電壓由CTL和wdz2-1.2-s1.gif分別控制晶體管M5和M6使差分輸入對M1和M2不對稱生成,其失調電壓由電阻ROS大小決定。

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1.2 PWM補償電路

    在反饋結構D類功率放大器中,積分器用于對輸入音頻信號和反饋信號進行求和,如圖1所示,當輸入音頻信號幅度過大,積分器容易出現飽和,在多個時鐘周期內,脈沖寬度調制器輸出恒為高電平或低電平。為防止積分器輸出飽和,而導致功率開關MP1和MP2在多個開關周期常開或者常關,在脈沖調制器的輸出引入PWM補償電路,設置PWM脈沖的最大占空比和最小占空比,保證在一個時鐘周期以內,輸出功率器件開關一次,達到保護功率器件的目的,同時盡可能減小輸出波形飽和失真。PWM補償電路如圖6所示,由補償時鐘產生電路和PWM矯正邏輯電路構成。兩路補償時鐘(Vtri_PH1和Vtri_PH2)由圖7中電路產生。正常情況下,VPWM占空比介于5%與95%之間,此時,VPWM_COR=VPWM,當 VPWM占空比小于5%,VPWM_COR=Vtri_PH1,而當VPWM占空比大于95%,VPWM_COR=Vtri_PH2

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    圖7給出了三角波生成器電路結構[6],電路由兩個比較器、RS觸發器、充電放電路徑以及電阻分壓構成。該電路提供D類放大器的調制波形,同時產生用于PWM補償電路的補償信號Vtri_PH1以及Vtri_PH2。其工作原理如下:為了能夠獲得三角波Vtri,采用恒定電流源IREF給電容CTRI充放電的模式,圖7中,第一比較器(COMP1)對輸入電壓Vtri與電壓VTH1進行比較,當Vtri>VTH1,比較器輸出為高電平,圖中RS鎖存器的輸出被置位為邏輯高電平,晶體管M1關閉,同時M2開啟,電容CTRI開始放電,當Vtri<VTH2,第二比較器COMP2輸出為高電平,RS鎖存器輸出被復位為邏輯低電平,晶體管M2關閉,M1開啟,電容CTRI開始沖電,由于IREF為恒電流源,故CTRI上的電壓為線性度良好的三角波,有利于減小放大器的諧波失真。

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    本設計中,VTH1和VTH2由電源電壓VDD采用比例電阻分壓獲得,可得到振蕩器輸出頻率與電源電壓無關[6]。振蕩器輸出波形如圖8所示。在本設計,典型輸入電壓為3.6 V時,三角波頻率為300 kHz,Vtri_PH1和Vtri_PH2占空比設計均為95%。

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2 測試結果

    基于CSMC 0.35 μm CMOS工藝設計D類音頻功率放大器,其版圖照片如圖9所示,單通道芯片面積為0.85 mm2。本設計中,基于鋰電池移動設備應用,電源電壓范圍為2.5~4.2 V,開關頻率為300 kHz。圖10給出了電源電壓分別為2.5 V、3.6 V、4.2 V,負載電阻為8 Ω測試條件下,THD+N與輸出功率曲線。由圖中可得,當電源電壓為3.6 V時,輸出功率約400 mW時,放大器的THD+N最小可到0.025%;表1給出本設計D類放大器部分測試結果。

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3 結論

    本文基于移動設備應用提出一種抑制pop-click噪聲電路技術,在電源上電和去電時通過時序電路控制放大器內部電路順序開啟和關斷,有效地減小pop-click噪聲幅度,噪聲幅度小于2.0 mV。通過對脈沖寬度調制信號進行脈沖補償,消除積分器飽和而造成功率開關晶體管損壞的風險,同時減小當輸入信號幅度太大引起的飽和失真。這些技術的引入,并沒有犧牲放大器的效率、THD+N以及輸出功率等性能。

參考文獻

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作者信息:

鄭  浩,劉延飛,王秋妍,楊晶晶,楊東東

(火箭軍工程大學,陜西 西安710025)

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