4月15日，長鑫存儲技術(shù)有限公司董事長、睿力集成電路有限公司CEO王寧國高調(diào)現(xiàn)身合肥集成電路重大項目發(fā)布會表示，合肥長鑫作為國內(nèi)進(jìn)展最快的存儲器生產(chǎn)基地，近日12吋基地約300臺研發(fā)設(shè)備已基本全部到位，裝機后今年下半年將全力投片試生產(chǎn)。
王寧國透露，合肥DRAM一期已于2018年1月一廠廠房建設(shè)完成，并開始設(shè)備安裝；2018年底將啟動生產(chǎn)8GB DDR4工程樣品；2019年底實現(xiàn)單月產(chǎn)能2萬片；2020年開始規(guī)劃二廠建設(shè)；2021年完成17納米技術(shù)研發(fā)。
未來，長鑫睿力 DRAM IDM 平臺還將主要采購國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備與材料。
資料顯示，長鑫12吋存儲器晶圓制造基地項目正加快建設(shè)，項目投產(chǎn)后預(yù)計將占據(jù)世界DRAM市場約8%的份額，填補國內(nèi)DRAM市場的空白，合肥也因此將跨入世界級存儲器制造重鎮(zhèn)之列。
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