中芯國際、紹興市政府、盛洋集團共同出資的中芯集成電路制造（紹興）有限公司項目正式簽約。項目總投資達58.8億元，面向MEMS和功率器件等領域的晶圓和模組代工，建設完成后將形成一個綜合性的特色工藝制造基地。
對于中芯國際，業界目前的關注點大多集中在28-14納米先進工藝的開發及量產之上。然而，事實上成熟特色工藝一直在中芯國際的發展中占有重要地位，不僅在公司營收及獲利上占據半壁江山，滿足著客戶的大量需求，中芯國際亦長期堅持“先進工藝與成熟工藝兩條腿走路”的發展策略。隨著當前中芯國際進入轉型過渡期，加強特色工藝更具有特殊意義。
先進工藝量產顯露曙光
臺積電、三星全球晶圓代工大廠快速朝向10納米以及7納米工藝演進，引燃了業界對摩爾定律前進步伐的關注熱情，同時對中芯國際的觀察重點也鎖定在了28-14納米等先進工藝的開發之上。業界公認28納米是長壽命節點。據IBS公司的預測，隨著28納米工藝逐步成熟，市場需求呈現快速增長的態勢，從2012年開始的每年91.3萬片、2014年的294.5萬片，一直增長到2017年的463.3萬片，預測即便到2020年市場需求仍可達428.7萬片/年。
經過近兩年來的不斷摸索，中芯國際在28納米上取得較大進展。日前，中芯國際發布的2017年第四季度財報顯示，28納米營收所占比例大幅提升，從第三季度的8.8%提升至第四季度的11.3%，在2017年的整體銷售額占比也達到了7.9%。這樣的產量規模顯示，中芯國際對28納米PloySiON工藝的掌握上已經相對穩定，如此方能大幅推進產量提升。
中芯國際聯合CEO梁孟松在2017年第四季度業績電話會議上表示，將于2018年中期量產28nm HKMG和HKMG+，下半年批量量產。這個計劃一旦成功，28納米制程技術節點將完全被打通。由于28納米工藝制程的特殊地位，意味著中芯國際在先進工藝的發展上，向前邁進了一大步。此外，中芯國際也在積極向前推進14納米。近日，中芯國際增資中芯南方，持股比例變為50.1%，國家集成電路產業投資基金和上海集成電路基金分別擁有中芯南方27.04%和22.86%的股權，成為第二和第三大股東。中芯南方的發展重點為14納米，預計中芯國際14納米將于2019年上半年投產。
中芯進入轉型過渡期
綜觀2017年全年，中芯國際銷售額約為31.01億美元，毛利7.41億美元，全年毛利率約23.9%。雖然，全年增長與行業平均值持平，但毛利率與2016年相比有所下跌，由2016年的30.2%跌至2017年的23.9%。先進工藝量產取得突破固然是2017年第四季度財報的一大亮點，毛利率卻為公司業績蒙上一層陰影。梁孟松也表示，雖然28納米營收比例超出預期的10%，但是由于產品競爭激烈，28納米產品ASP有所下滑，也對2017年第四季度毛利產生了一定的影響。
事實上，在過去幾年當中，中芯國際憑借著高產能利用率，推動收入和盈利取得雙增長。然而，所有公司的發展都是在積累與成長中循環的。按照中芯國際聯合CEO趙海軍的觀點：中芯國際目前正處于轉型過渡期，需要為快速滿足客戶的技術遷移做好準備，以面對日新月異的產業環境。
由于公司進入過渡期，需要為下一階段的成長準備好技術和工廠，因此用于先進工藝的研發開支和產能擴充支出，以及折舊費用大幅度增加，反饋到財務表現上就是毛利率有所下滑。在這種情況下，加強成熟特色工藝就顯得更加重要。它將發揮穩定器的作用，保證中芯國際可以取得相對穩定的營收與獲利。隨著智能化社會的到來，物聯網、車載、工控等應用領域市場蓬勃發展，基于特色工藝的微機電系統是智能化的核心之一，成熟特色工藝的發展必不可少。中芯國際董事長周子學也表示，中芯國際在微機電和功率器件特色工藝領域已有近10年的耕耘，有信心打造出一個國內領先、世界一流的特色工藝半導體企業。
成熟特色工藝重要性凸顯
2018年中芯國際的挑戰并不少，廈門聯芯28納米2017年已經量產，今年臺積電南京廠的16納米提前至5月量產，此外格羅方德成都廠有望于2019年導入22納米FD SOI工藝等。國際代工大廠在先進工藝上對中國客戶的爭奪正趨激烈。
正因如此，先進工藝與成熟工藝兩條腿走路對于中芯國際非常重要。一方面，追趕國際先進主流工藝的進步步伐；另一方面，大力挖掘成熟工藝，發揮差異化優勢，為客戶提供增值服務，為公司獲得相對穩定的收入。
對此，半導體專家莫大康指出，28納米HKMG及16/14納米的FinFET工藝都是先進工藝制程中的“攔路虎”，但又必須盡快地邁過去。堅持“先進工藝與成熟工藝兩條腿走路”的發展策略，將使道路走得更加穩健。
從市場層面觀察，隨著物聯網的興起，特色工藝的重要性正日漸凸顯。物聯網市場是半導體業內的殺手級應用，不需要依賴先進工藝制程，其產品設計和制程模式在成熟工藝制程下將非常匹配中國國內企業。因此，中芯國際應對市場的策略是專注先進制程開發，同時在特色工藝上深耕細作，堅持兩條腿走路，確保在業界的競爭優勢。
資料顯示，這些年來，中芯國際在特色工藝上也有很多突破，包括CIS-BSI（背照式CMOS圖像傳感器）、55納米eFlash（嵌入式閃存）、38納米獨立NAND閃存、為TDDIC（顯示驅動IC）而開發的MTE（成熟技術優化）95納米，以及MEMS-IMU（慣性測量裝置）制程技術等。