隨東芝存儲(chǔ)器(TMC)股權(quán)出售案定案，全球NAND快閃存儲(chǔ)器市場形成三強(qiáng)鼎立態(tài)勢：三星電子(Samsung Electronics)，東芝存儲(chǔ)器、西部數(shù)據(jù)(WD)、與SK海力士(SK Hynix)團(tuán)隊(duì)，以及英特爾(Intel)與美光(Micron Technology)聯(lián)盟。現(xiàn)在東芝要重新挑戰(zhàn)三星，但與西部數(shù)據(jù)的官司成為最主要的問題。

　　東芝存儲(chǔ)器社長成毛康雄，在2017年10月13日參加日本四日市的事業(yè)說明會(huì)中，指出2017年內(nèi)已對四日市工廠進(jìn)行3,150億日圓(約28.1億美元)的設(shè)備投資，為確保競爭力，還可能追加投資，且未來每年都會(huì)有3,000億~4,000億日圓等級的投資。日本經(jīng)濟(jì)新聞(Nikkei)網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，四日市政府對新投資表達(dá)歡迎態(tài)度。

　　目前的投資，在興建四日市工廠第6工廠棟，用以量產(chǎn)最新的96層3D NAND快閃存儲(chǔ)器，接下來還要購入鄰接的閑置土地，建設(shè)第7工廠棟;雖然東芝存儲(chǔ)器在2018年要在日本巖手縣北上市建設(shè)新工廠，但四日市還是母工廠，第7工廠棟是基于長期需求建立，不會(huì)半途而廢。

　　至于是否與SK海力士合作投資方面，由于與西部數(shù)據(jù)的官司，以及避免在各國反壟斷法審查中帶來負(fù)面影響，東芝存儲(chǔ)器與SK海力士均宣稱不會(huì)合作研發(fā)NAND，但在次世代的MRAM與納米壓印(NanoImprint)技術(shù)可能合作。

　　至于與西部數(shù)據(jù)的合作關(guān)系，成毛康雄表示技術(shù)上靠自己研發(fā)完全沒問題，但還是希望能與西部數(shù)據(jù)妥協(xié)，和西部數(shù)據(jù)旗下的新帝(SanDisk)合作研發(fā)120層~130層的3D NAND快閃存儲(chǔ)器。

　　日刊工業(yè)新聞報(bào)導(dǎo)指出，由于IHS調(diào)查，三星在2017年上半全球NAND快閃存儲(chǔ)器市場的市占率，已增到38%以上，穩(wěn)坐冠軍寶座，亞軍的東芝存儲(chǔ)器則掉到16%水準(zhǔn)，故包括東芝存儲(chǔ)器在內(nèi)的NAND快閃存儲(chǔ)器廠，都為對抗三星而開始團(tuán)結(jié)。

　　美國的英特爾與美光合作超過10年，東芝存儲(chǔ)器與閃迪合作近17年，先前市場關(guān)注SK海力士會(huì)靠向三星還是東芝存儲(chǔ)器，現(xiàn)在選擇與東芝存儲(chǔ)器聯(lián)合，明顯是為對抗三星，即使東芝存儲(chǔ)器與西部數(shù)據(jù)談判期間對立嚴(yán)重，但考慮利益，現(xiàn)在東芝存儲(chǔ)器仍希望西部數(shù)據(jù)與該廠及SK海力士盡棄前嫌。

　　據(jù)日經(jīng)報(bào)導(dǎo)，三星也將在2018年內(nèi)量產(chǎn)96層3D NAND快閃存儲(chǔ)器，自信技術(shù)領(lǐng)先東芝存儲(chǔ)器約1年水準(zhǔn)，加上2016年起NAND快閃存儲(chǔ)器市場供不應(yīng)求，形成賣方市場，三星在此市場獲得利潤隨市占率成長而上漲，設(shè)備技術(shù)投資能力仍高于東芝存儲(chǔ)器，弱者若不合作，只會(huì)被三星拋得更遠(yuǎn)。

　　隨東芝存儲(chǔ)器出售案的紛爭漸止，NAND快閃存儲(chǔ)器市場料將從六大廠商變成三強(qiáng)聯(lián)盟，未來的發(fā)展，值得持續(xù)關(guān)注。