日前三星電子正式宣布，其將11nm FinFET制程技術（11nm LPP，Low Power Plus）提上研發日程，預計將于明年推出首款采用該工藝的芯片。

11nm LPP工藝由之前的三星14nm LPP進化而來，相比后者，前者表現將提升15%，且在相同功耗的情況下芯片面積減少10%。

由于目前三星在旗艦手機領域主推自家10nm FinFET工藝，因而其期望11nm工藝將成為中高端智能手機的主力軍。新工藝將在明年上半年進行量產。11nm LPP工藝主要應用于中高端手機產品，形成市場差異化，如果沒有意外的話，明年上半年就能見到相應的產品投放了，不過由于三星處理器本身

的原因，有可能首先用在自家的手機上面，如果高通等公司使用該工藝，則會應用在更多Android手機上。
與此同時，三星還確認了包含EUV (extreme ultra violet，遠紫外區) 光刻技術的7nm LPP制程已經提上日程，目標是將在明年的下半年開始初步試產。

業界普遍認為7nm工藝是一個重要節點，是半導體制造工藝引入EUV技術的關鍵轉折，這是摩爾定律可以延續到5nm以下的關鍵；引入EUV工藝可以大幅提升性能，縮減曝光步驟、光罩數量等制造過程，節省時間和成本。

不過顯然引入EUV技術并不容易，其需要投入大量資金購買昂貴的EUV設備，同時需要進行大量的工藝驗證以確保在生產過程中獲得較佳的良率，才能以經濟的成本適用于生產芯片。

三星恰恰擁有這個優勢，它由于擁有多個產業，可以為它的先進半導體制造工藝提供資金支持，而它多年來也愿意為此付出巨額的資金；三星也是全球最大的存儲芯片生產企業，可以通過在存儲芯片上錘煉先進工藝，例如在過去這三年其就采用EUV技術處理了20萬片晶圓生產SRAM。

根據三星的進度，我們可以初步判斷，預計今年年底推出的驍龍845用上7nm制程的可能性不大，有較大可能可能依然采用10nm制程工藝。預計明年Exynos 9810、麒麟980、Helio X40等芯片同樣將延續此工藝。但最早我們能在2019年年初看到搭載7nm芯片的智能手機。

三星成為了最早公布7nm工藝的廠商，但7nm LPP工藝預計要等到明年下半年才能量產，采用了EUV極紫外光刻技術。兩款工藝的進一步參數和細節預計在9月15日于東京的半導體會議上公布。

而三星最大的競爭對手臺積電方面，在今年3月份則被爆出在和聯發科合作試產7nm制程12核心芯片，但根據臺積電10nm今年難產的現狀來看，實際能夠投放市場的時間目前還說不準。

臺積電作為全球最大的半導體代工企業也有它的優勢，由于它一直居于領先地位，獲取了豐厚的利潤，這為它持續研發先進工藝提供了資金支持，近兩年在三星的逼迫下它正在不斷提升研發投入。

不過由于它采取了更謹慎的態度，在研發先進工藝上稍微保守，在研發16nm工藝的時候它就先在2014年量產了14nm工藝然后再在2015年引入FinFET工藝，而三星則直接在2015年量產14nm FinFET首次取得在先進工藝上對臺積電的領先優勢。

在7nm工藝上的競爭，可能會引發全球兩大芯片企業高通和蘋果訂單的變動，業界傳出消息指高通很可能將其明年的高端芯片驍龍845交給臺積電，而三星則可能奪得蘋果A12處理器的訂單。