與美國在半導體先進工藝制程等方面的差距，不僅表現在人材，技術等方面，可能更大的差距在于綜合的國力，以及產業大環境的改善，所以此次奮力突圍一定要取得更大的進步。
引言
近期華爾街日報撰文“中國的下一個目標奪下美國的芯片霸主地位”。明眼人看得很清楚，它是站在美方的立場，歪曲事實。
此次中國半導體業的“奮力突圍”，有兩層意義：
一個是差距大，希望迅速的成長，至多是擴大芯片的自給率。
另一個是西方千方百計的阻礙中國半導體業的進步，所以才要進行“奮力突圍”，準備沖出去。
中國半導體業無意去挑戰美國的半導體霸主地位，也缺乏實力，差距是十分明顯的，不可能會有此天真的想法。如IC Insight公布的2016年全球前20大芯片制造商排名中，美國有8家、歐洲3家、日本3家、臺灣地區3家、韓國2家以及新加坡有1家。
中國半導體業發展的歷程一直受到西方的極大關注，最早是“嚴格的封鎖“，之后隨著中美建交，及中國實行改革開放政策，打開大門，西方也采用它的另一種“合作雙贏”，及“潛移默化”、“文化滲透“等策略，一方面是看重中國的巨大市場潛力，以及另一只眼仍緊盯著中國半導體業的崛起。
因此打壓中國半導體業的進步是主軸，僅是方法、方式在不斷的改變，表明東西方的較量圍繞著雙方利益的再平衡。
為什么此次會更加嚴峻
雖然中國半導體業一直在進步，但是由于之前的道路搖擺不定，沒有找到合適的方法，因此引不起西方太大的關注。
自2014年“大基金”的成立以來，它不僅是首先解決“錢”的問題，更重要的是產業翻開新的一頁，中國半導體業發展要持續的加重投資、擴大產能，開始涉足IDM模式，如存儲器等芯片的制造，并公開宣稱產業的發展要按照國際的規則，尊重知識產權，向市場化、全球化邁進。
由于此次發展的道路可能走對，而且決心更大，加上中國半導體業在全球的權重因子日益提升，導致西方過度的反應，也是意料之中的事。
如2016年由美國總統奧巴馬的科學與技術顧問委員會撰寫，指出美國半導體產業需要創新以及加快動作，才能因應中國試圖扭轉市場局勢、占據有利位置的威脅。
該報告廣泛建議以三大主軸為基礎的策略：
其一是反制“阻礙創新”的中國產業發展政策，
其二是為美國晶片廠商改善商業環境，
其三是“在未來的十年協助催化革命性的半導體創新”。
今年的8月14日，美國總統特朗普簽署備忘錄，指令美貿易代表根據《1974年貿易法》研究決定是否對中國與知識產權相關的貿易政策和行為發起“301調查”。而有消息稱，如果此次調查付諸行動，中國的半導體、醫療設備、電子行業、智能制造及通訊工具等行業極大概率會中招。
因此可以清楚地看到中美雙方在半導體業方面的較量一直在持續，之前由于弱小，它們是不屑一顧，而此次中國半導體業來真的，可能獲得更大的進步，會導致全球格局的改變，聯想到中國在太陽能、平板產業及手機處理器芯片等方面的成功，它們再也坐不住啦。
所以中美之間的半導體業之爭，可以比喻如同彈簧一樣，中國半導體業的進步越大，彈簧壓得更低，它的反彈一定會更加激烈。
不懼怕沉著迎戰
觀察中國半導體業發展的歷程，西方勢力壓制中國從未停止，只是隨著雙方的利益關系，此起彼伏，有時會寬松，有時會更較勁，實際上這才是正常的態勢。究其根本的原因是時代已經改変，雙方已經“你中有我，我中有你”，只有合作共贏是大局。另外，中國人口那么多，體量如此之大，近期國家實力的大增，相信任何人必須正視它。
分析中美半導體雙方全面的和解，尚不到時候，然而雙方全面的對抗，可能性也不會太大，但是雙方之間的摩擦一定會增多。因為觀察2016年英特爾在中國的銷售額達128億美元，占其總銷售額的25%，高通為84.7億美元，占其53%（2017年預測擴大至65%），Broadcom為50.4億美元，占其60%，NXP為49.5億美元，占其50%，及Micron的57.6億美元，占其41%等。意味著如果真的與中國決裂，它們其中的哪個公司也不會好受。
從策略上應該針對假設最困難的情況出現，并提出相應的“預案”才是理性的表現。因為對手可能“出牌”的機會很多，如對待“中興”那樣，發個通知限制其國際上的貿易，或者開展更大范圍的對于中國的禁運，以及進一步封殺中國半導體的國外兼并，以及合資與合作等。
如果這樣的時候真的到來，也沒有什么可怕，兩點對策：
任何情況下，不懼怕，害怕不會改変現狀，但是也絕不能退縮；
據歷史上的經驗，可能反倒“壞事能變成好事“，逼迫我們需要依更快的速度，自力更生奮發圖強，來解決中國半導體市場的需求。
但是從雙方的利益分析，對抗是兩敗俱傷，唯有雙方合作，在競爭中取勝，才是正道。因此相信中美半導體業之間的對抗不太可能會持續很久。
更重要的是迅速改変自已
未來中美半導體業對抗會升級嗎？這個問題不一定看得太重，未來什么情況都可能發生，想太多也無實際意義。其實道理誰都明白，關鍵在于我們自己。只有中國半導體業迅速的改變自己，尤其是那些骨干企業，加緊研發、增強競爭力、努力縮小差距。
未來有兩個方面要十分關注，一個是既要加快的發展，但也不能亂了自己，尤其是國內的各家要依產業利益為重，少些內耗；另一個是不能指望“一蹴而就”，要充分認識到與美國等的差距很大，至少需要20年的奮發圖強，埋頭苦干，中國半導體業才有可能在全球有立足之地。
近期聽到中芯國際的28納米制程，合肥的睿力DRAM，晉江的晉華DRAM，以及長江存儲的32層3D NAND等都有不同程度的進展，極大地鼓舞人心；另一方面是要進一步擴大開放，努力改善產業的發展環境。
與美國在半導體先進工藝制程等方面的差距，不僅表現在人材，技術等方面，可能更大的差距在于綜合的國力，以及產業大環境的改善，所以此次奮力突圍一定要取得更大的進步。