為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用提供更低功耗；

　　高性價比的SONOS非易失性存儲器具備高良率和可擴展的工藝特點

　　加利福尼亞州圣何塞，2017年4月12日 –全球領(lǐng)先的嵌入式非易失性存儲器解決方案提供商賽普拉斯半導(dǎo)體公司（納斯達克代碼：CY）與中國最先進的純晶圓代工廠之一，上海華力微電子有限公司（華力）今日共同宣布，基于華力 55納米低功耗工藝技術(shù)和賽普拉斯SONOS （氧化硅氮氧化硅）嵌入式閃存知識產(chǎn)權(quán)相結(jié)合，為閃存產(chǎn)品樹立了一個新的里程碑。華力的客戶已經(jīng)開始使用這項技術(shù)進行低功耗嵌入式閃存產(chǎn)品的試生產(chǎn)，針對藍牙低功耗和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。賽普拉斯高耐用性、可擴展的SONOS嵌入式閃存工藝針對低功耗需求進行了優(yōu)化，使其成為微控制器（MCU）和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）應(yīng)用的理想選擇。2017年下半年，華力的客戶即可采用該技術(shù)和設(shè)計IP進行全面量產(chǎn)。

　　賽普拉斯的SONOS嵌入式非易失性存儲器(NVM) 工藝與其他嵌入式NVM技術(shù)相比具有顯著的優(yōu)勢。SONOS擁有更小的存儲單元尺寸、更低的生產(chǎn)成本，與其他嵌入式閃存技術(shù)需要9至12層額外的掩膜不同，SONOS技術(shù)只需要在原有CMOS工藝上增加3層。SONOS本身具有高良率和極佳的可靠性、10年的數(shù)據(jù)保持、20萬次編程/擦寫壽命，以及強大的抗軟錯誤能力。賽普拉斯已經(jīng)展示了將SONOS延伸到40納米和28納米節(jié)點的能力，以加速未來IP的開發(fā)。

　　華力副總裁舒奇表示：“物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用對低成本、低功耗嵌入式閃存的需求不斷提升，我們非常高興能夠達到這個里程碑，同時我們也希望能夠?qū)崿F(xiàn)迅速量產(chǎn)的目標(biāo)，以滿足客戶的需求。賽普拉斯SONOS嵌入式非易失性存儲器技術(shù)具備高性價比和高良率的特性，其可靠性和高效性對于量產(chǎn)低功耗嵌入式閃存產(chǎn)品十分理想。”

　　賽普拉斯存儲器產(chǎn)品事業(yè)部資深副總Sam Geha表示： “華力堅實的55納米低功耗工藝技術(shù)和生產(chǎn)經(jīng)驗與我們高性能、具備領(lǐng)先可靠性的SONOS閃存技術(shù)的結(jié)合，確保了這些低功耗嵌入式閃存產(chǎn)品順利實現(xiàn)試產(chǎn)。我們與華力的合作再次證明了，SONOS技術(shù)將通過賽普拉斯與世界領(lǐng)先代工廠的合作而成為嵌入式非易失性存儲器平臺的最佳選擇，同時也展示了賽普拉斯致力于解決新興物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用所面臨的功耗問題的決心。”