IC Insights最新報告預測，DRAM與NAND快閃存儲器等，未來五年年均復合增長率（CAGR）可達7.3%，產(chǎn)值將從去年的773億美元擴增至1，099億美元。
報告將半導體區(qū)分成邏輯、存儲器，模擬與微組件（microcomponents）IC等四種類型，在五年的預測區(qū)間內(nèi)，以存儲器成長力道最為強勁，模擬IC以5.2%次之，微組件為4.4%，至于邏輯IC則僅有2.9%。
IC Insights指出智能手機等移動設(shè)備對低功耗存儲器需求激增，是驅(qū)動DRAM與NAND快閃存儲器成長的主要動能。除此之外，使用NAND快閃存儲器的固態(tài)硬盤（SSD）在數(shù)據(jù)中心、筆記本電腦的應(yīng)用也日趨吃重。
三星上周五公布2016年第四季財報，在Note 7自燃召回的狀況下，營益竟然還能逆勢跳增近80%，就是因為受惠于存儲器價格大漲，將利潤空間拉大。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。