總投資240億美元的國家存儲器基地項目近日在武漢東湖高新區正式開工。2020年全面建成后，年產值將超過100億美元，實現我國集成電路存儲芯片產業規模化發展“零”的突破。
此次開工的國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區武漢未來科技城，將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、一座總部研發大樓和其他若干配套建筑，其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。項目一期計劃2018年建成投產，2020年完成整個項目，總產能將達到30萬片/月，年產值將超過100億美元。
據介紹，國家存儲器基地項目由紫光集團聯合國家集成電路產業基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設。以芯片制造環節為突破口，集存儲器產品設計、技術研發、晶圓生產與測試、銷售于一體，建成后，還將帶動設計、封裝、制造、應用等芯片產業相關環節的發展。
存儲器是信息系統的基礎核心芯片，最能代表集成電路產業規模經濟效益和先進制造工藝，同時也是我國進口金額最大的集成電路產品。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。