富士通半導體和三重富士通半導體上周共同宣布宣布，他們已與總部位于美國的Nantero公司達成協(xié)議，授權(quán)該公司的碳納米管內(nèi)存（NRAM）技 術(shù)，三方公司未來將致力于NRAM內(nèi)存的開發(fā)與生產(chǎn)。據(jù)了解，借由NRAM技術(shù)所生產(chǎn)的內(nèi)存速度將是當前普通內(nèi)存的1,000倍。預計，借由三方面的合 作，將在2018年推出借由55納米制程所生產(chǎn)的NRAM內(nèi)存。

　　在納米技術(shù)研究領域，碳納米管（CNT）是一種很獨特的材料，直徑只有 人類頭發(fā)的五萬分之一，能導熱導電，硬度是鋼鐵的50倍。在儲存領域，碳納米管通過矽基沉底也能達到0與1變化。因此，也可以用來當做儲存芯片使用，而且 因為其特性為非揮發(fā)性，所以就算斷電也不會清除儲存在上面的資訊。

　　而由于碳納米管有著特別的特性，因此相較于當前的普通內(nèi)存，NRAM芯片的具有非常強大的優(yōu)勢。除了讀寫速度是普通閃存的1,000倍（Nanteo官網(wǎng)上表示是1,000倍）之外，同時可提供功耗更低，更具可靠性與耐用性的內(nèi)存，而且生產(chǎn)成本更低。

　 　富士通半導體系統(tǒng)內(nèi)存副總裁松宮正人表示，借由Nantero公司的碳納米管技術(shù)而生產(chǎn)的非揮發(fā)性儲存內(nèi)存是業(yè)界的一個超越了傳統(tǒng)技術(shù)的顯著進步。而富 士通半導體自90年代以來，一直是在設計和生產(chǎn)非揮發(fā)性內(nèi)存FRAM(鐵電隨機存取內(nèi)存)的少數(shù)廠商之一。因此，富士通半導體具有整合FRAM設計和生產(chǎn) 的能力。如今再與Nantero公司達成協(xié)議之后，未來將就由過去設計與生產(chǎn)FRAM的能力，用于開發(fā)NRAM內(nèi)存，以滿足市場的需求。

　 　Nantero董事長兼CEO Greg Schmergel指出，Nantero已經(jīng)在碳納米管的內(nèi)存儲存技術(shù)上研究了十多年，具備生產(chǎn)NRAM內(nèi)存的先進技術(shù)。而本次與富士通半導體與三重富士 通半導體兩家公司的合作，由于兩家公司都是全球生產(chǎn)儲存設備中最成功的企業(yè)之一。借由其在研發(fā)與生產(chǎn)FRAM的經(jīng)驗，未來可以在NRAM內(nèi)存的合作上產(chǎn)生 更大的效益，建立更緊密的關系。

　　不過，對于此合作案，有業(yè)界人士指出，Nantero公司自從2006年就說要開始生產(chǎn)碳納米管內(nèi)存 了。但是，到現(xiàn)在一直沒什么特別的進展。未來，即便是跟富士通半導體達成了合做協(xié)議，量產(chǎn)的NRAM芯片容量還是不夠大，只適合一些嵌入式設備使用。所 以，未來是不是能夠改變整個內(nèi)存的生態(tài)，還有待進一步的觀察。