一方面以紫光集團為代表的中國企業在全球“買買買”，另一方面國家集成電路產業投資基金在國內加快“投投投”，中國芯片產業的動靜越來越大。

　　由國家集成電路產業投資基金、湖北省集成電路產業投資基金、國開發展基金、湖北省科技投資集團共同投資240億美元（約合人民幣1600億元）的存儲器基  地項目2016年3月28日宣布在武漢東湖高新區落地。該項目將在武漢新芯集成電路制造有限公司（以下簡稱“武漢新芯”）的基礎上組建一家存儲器公司，以 芯片制造環節為突破口，最終成為集存儲器產品設計、技術研發、晶圓生產和測試、銷售于一體的公司。

　　該項目提出的目標是：到2020年、 2030年存儲器芯片月產能分別達到30萬片、100萬片，在產能上進入世界前五乃至前二，與韓國三星旗鼓相當。一家半導體公司的管理者告訴記者，武漢新芯成為中國存儲器芯片產業基地的消息在業內已流傳一段時間了，而且為了應對中國方面的這一布局，行業巨頭SK海力士擴充產能的項目已宣布將于2019年投產，東芝最近也推出3年擴產計劃，未來幾年這一領域很可能因為產能過剩掀起價格大戰。

　　有市場有資金

　 　中國半導體行業協會一位專家接受本報記者采訪時表示，這一大手筆投資的依據是，2014年6月發布的《國家集成電路產業發展推進綱要》，以及“制造強國  “戰略第一個十年計劃——《中國制造2025》明確提出的“突破關系國家信息與網絡安全及電子整機產業發展的核心通用芯片，提升國產芯片的應用適配能力”  等；而推進存儲芯片的原因則是，“存儲器是最大宗的集成電路產品，也是我國進口金額最大的集成電路產品，但目前國產力量在這一領域基本上處于空白狀態。”

　 　公開信息顯示，武漢新芯2006年由湖北省政府和武漢市政府共同投資100億元設立，是目前我國唯一一家以存儲器為主的集成電路制造企業，湖北省科技投 資   集團是其唯一所有人。在武漢“光谷”地區，以武漢新芯為龍頭，已初步形成了涵蓋設計、制造、封裝等環節的產業鏈。存儲器基地項目落地以后，湖北希望在武漢  “光谷”地區打造萬億級的芯片——顯示產業——智能終端制造生態體系。

　　目前，武漢新芯主要生產各種類型的NOR閃存，但今后這一領 域的演進方向是3D NAND  Flash。于是，武漢新芯在2013年通過技術交叉授權的方式，與美國Spansion公司合作，共同開發 3D NAND   Flash技術。武漢新芯CBO陳少民表示，“武漢新芯在2013年取得了‘電荷捕獲’技術的共同開發、交叉授權的協議，并同時擁有了這一知識產權。” “電荷捕獲”技術是3D NAND Flash的重要專利，美國Spansion公司擁有該專利。武漢新芯COO洪沨也表示，通過授權合作方式，3D NAND  Flash將成為中國記憶體芯片產業彎道超車的切入點。

　　來自武漢新芯方面的信息顯示，240億美元將分為三個階段投資：第 一階段建立一家專注于NAND閃存生產的工廠；第二階段建立一家專注于DRAM芯片生產   的工廠；第三階段將建立起專門為供應商服務的能力。陳少民透露，“做3D NAND  需要大量合作伙伴，包括整個產業鏈的配套，從控制器、SSD模組到封裝測試等，武漢新芯將與更多公司合作，與合作伙伴一起把這個存儲器產業打造起來。”

　 　統計數據顯示，在國內市場，NAND   Flash和DRAM的采購規模達到66.7億美元、120億美元，分別占到了全球供貨量的29.1%、21.6%，需求量非常大。不過，在NAND   Flash市場，主要供應商三星、東芝、東芝、SK海力士、美光占據絕大多數市場份額；在DRAM市場，三星、SK海力士、美光占據90%以上的份額；國  產在這些領域基本處于空白狀態。如此來看，武漢新芯瞄準了一個極具誘惑力的市場。

　　資金對武漢新芯來說也不是問題。公開數據顯示，國家集成電路產業投資基金的總體規模已經達到1380億元，湖北省集成電路產業基金也有500億元的規模。而國家集成電路產業投資基金總經理丁文武已經明確，今年的重點之一就是支持存儲器發展。

　　無技術不長久

　　但前述半導體公司管理者接受本報記者采訪時認為，武漢新芯拿到240億美元投資，看上去數額很大，實際上三星、SK海力士、美光今年資本支出規劃分別達到151億美元、51億美元、38億美元，僅就投資規模而言，并未與海外巨頭拉開差距。

　　該人士還表示，3D  NAND是一種基于堆棧技術提升芯片存儲效率的多層次存儲技術， 三星電子是該領域的“探路先鋒”，目前已經實現48層堆疊，也是目前唯一已經實現3D   NAND量產的制造商；其他企業比如SK海力士、美光科技等則是“跟隨者”，也已經發展到32~36層堆疊；武漢新芯在2015年上半年剛剛宣布在“9 層”堆疊上取得突破，技術方面并無優勢可言。

　　易觀智庫一位分析師也認為，武漢新芯在存儲芯片技術方面落后同行數年，追趕尚且不易，在 起步階段就喊出趕超三星的口號實在有點“賺吆喝”的意思，應該吸取  中國臺灣地區相關產業投資失敗的經驗和教訓。另外，該分析師還認為，2016年3D  NAND芯片的生產成本已經降到比常規NAND芯片還低的水平，而武漢新芯大概要到2018年初才能量產，能否抓住市場機遇也是未知。

　　對此，陳少民回應稱，武漢新芯與競爭對手的差距只有“一代半”，“我們有信心在三代產品以后趕上國際廠商”。

　　中國半導體行業協會專家則認為，雖然武漢新芯在技術能力方面落后三星電子、SK海力士等外資企業，但可以生產用于低價家電或者智能手機的產品，從占領低價市場開始，逐步擴大自己的市場占有率。

　　對于我國半導體產業究竟應該“引進仿制”還是“自主創新”，業內一直是爭議不斷，前一種思路認為，普通使用的技術不存在“后門”，“引進仿制”是見效最快的做法；后一種思路認為要把核心技術掌握在自己手中，免得受制于人。

　 　中國工程院院士倪光南認為，很多之前引進的項目現在看來不應該引進，因為沒有達到預期效果，有些項目甚至加劇了一些企業在中國市場的壟斷定位；由此可 見，   “引進仿制”的路子在半導體產業是走不遠的，將引進的技術披上國產的“馬甲”是自欺欺人，科學技術花錢買不來，中國集成電路還是要走自主創新發展之路。