中國上海 ，2016  年 2 月 月 18  日 訊—今日，恩智浦半導體（納斯達克代碼：NXPI，以下簡稱“恩智浦”）與中芯國際宣布共同開展長期技術研發與本地化合作，支持“中國制造 2025”，推動中國半導體產業創新升級。雙方將通過聯合創新，共同開發全球領先的高性能超低功耗帶嵌入式閃存技術的混合信號產品制造工藝。

       雙方將在工信部的指導和支持下，積極整合國際研發技術和優勢資源，建立戰略性合作項目服務于中國市場，進一步推動本地集成電路技術發展和中國制造業創新升級。中芯國際提供國內最先進的 40納米標準 CMOS數模混合電路工藝平臺，恩智浦將全球最先進的 40納米嵌入式閃存技術根植于中芯國際的工藝平臺。聯合開發的新工藝將滿足高性能超低功耗產品大批量生產的嚴格要

求，并對國內高性能混合電路產品領域的人才培育起到重要推動作用。

       恩智浦全球市場銷售資深副總裁兼中國區總裁鄭力先生表示：“恩智浦深耕中國 30 余年，始終本著‘科技創新，合作共贏’的理念，積極推動與國內同行企業的交流與合作。在工信部支持下與中芯國際的合作，是恩智浦踐行對中國長期承諾的重要里程碑。我們希望通過這次合作，與中國的行業伙伴共同開發先進的安全互聯技術，為中國本地半導體行業的技術創新和研發能力提升做出貢獻。”

       中芯國際執行副總裁李智先生表示：“作為國內規模最大、技術最先進的集成電路晶圓制造企業，中芯國際始終秉承開放的胸懷與產業鏈上下游密切合作，強強聯手共同推動中國半導體產業的發展。我們很高興與恩智浦在40納米嵌入式閃存領域展開合作，這將進一步強化中芯國際與國際領先半導體企業的聯合開發與創新，更好地服務中國市場，推動‘中國制造2025’的實現。同時，我們也期待其未來能有更多的國際頂尖企業‘走進來’與國內制造企業合作，共同壯大并完善中國半導體產業生態系統，實現合作共贏。”