2015年受到需求面不振、持續(xù)供過于求的影響，DRAM價(jià)格呈現(xiàn)顯著衰退，尤其以標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器最為明顯。TrendForce旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange調(diào)查顯示，在寡占市場(chǎng)型態(tài)下，雖然小幅供過于求且價(jià)格持續(xù)下滑，各供應(yīng)商生產(chǎn)仍保持紀(jì)律，未有明顯新增產(chǎn)能，因此延續(xù)2013年 與2014年態(tài)勢(shì)，今年DRAM各廠仍維持全面獲利。
DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，2016年雖然受惠于來自智能手機(jī) 及服務(wù)器的需求影響，單機(jī)搭載容量會(huì)有顯著提升，各項(xiàng)終端產(chǎn)品仍難有爆發(fā)性的發(fā)展。DRAMeXchange預(yù)估2016年整體DRAM需求成長率約為 23%，供 給位元成長約為25%。市場(chǎng)仍維持小幅供過于求，DRAM單價(jià)持續(xù)下滑，各家獲利能力將大幅取決于制程轉(zhuǎn)進(jìn)所造成的成本下降以及產(chǎn)品組合的調(diào)配。
2016年DRAM產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)分析如下：
年度位元產(chǎn)出來自20奈米制程轉(zhuǎn)進(jìn)，晶圓投片量大約持平
吳 雅婷表示，DRAM屬寡占市場(chǎng)型態(tài)，各供應(yīng)商在產(chǎn)能的擴(kuò)張上皆有所節(jié)制，相較仍處于完全競(jìng)爭(zhēng)的市場(chǎng)型態(tài)的NAND Flash健康許多。2016年的位元產(chǎn)出主要是來自于SK海力士（Hynix）與美光半導(dǎo)體（Micron） 20/21奈米的轉(zhuǎn)進(jìn)，晶圓產(chǎn)能上，除三星（Samsung）的Line17可能再微幅上升、SK海力士的新廠M14會(huì)陸續(xù)啟用之外，2016年DRAM 總投片量與2015年呈現(xiàn)持平。
隨著 市場(chǎng)需求轉(zhuǎn)變以及20奈米逐漸成熟，DDR4 的生產(chǎn)比例越來越高。2015年由于英特爾（Intel）平臺(tái)支援度的問題，DDR4的導(dǎo)入主要發(fā)生在服務(wù)器端，并且已經(jīng)率先在第四季取代DDR3成為主 流。DRAMeXchange預(yù)估，個(gè)人電腦/筆記型電腦端由新平臺(tái)Skylake開始采用DDR4，將會(huì)在2016年第二季起放量，成為主流解決方案。
行動(dòng)式存儲(chǔ)器與服務(wù)器存儲(chǔ)器生產(chǎn)比重持續(xù)提升
智 慧型手機(jī)受惠于20nm制程產(chǎn)出的LPDDR4普及度越來越高，高階旗艦機(jī)種（除Apple以外）以3GB/4GB為標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。吳雅婷指出，2016年第 二季起就會(huì)有單機(jī)DRAM搭載容量上達(dá)6GB的機(jī)種問市，大幅增加行動(dòng)式存儲(chǔ)器的需求動(dòng)能。服務(wù)器存儲(chǔ)器亦然，受惠于20nm制程產(chǎn)出的DDR4普及度升 高，在高容量32GB/64GB模組成本降低，促使廠商策略性調(diào)降價(jià)格以刺激需求，有助于服務(wù)器存儲(chǔ)器生產(chǎn)比重提升。
中國進(jìn)軍DRAM意圖仍在，但進(jìn)入門檻高，難有進(jìn)展
2016 年中國持續(xù)發(fā)展半導(dǎo)體的策略不變，仍將有許多并購發(fā)生，存儲(chǔ)器方面更是中國發(fā)展的重點(diǎn)項(xiàng)目之一。吳雅婷進(jìn)一步表示，與NAND Flash較為混亂的市場(chǎng)態(tài)勢(shì)相較，DRAM市場(chǎng)三強(qiáng)鼎立的狀態(tài)結(jié)構(gòu)穩(wěn)固，引進(jìn)新的競(jìng)爭(zhēng)者恐怕導(dǎo)致更嚴(yán)重的供過于求，因此三強(qiáng)與中國合作可能性低，使得中 國欲進(jìn)軍DRAM產(chǎn)業(yè)的困難度遠(yuǎn)高過其他半導(dǎo)體產(chǎn)品類別。