《電子技術(shù)應(yīng)用》
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LTE230無(wú)線通信基帶芯片的設(shè)計(jì)與應(yīng)用
2015年電子技術(shù)應(yīng)用第12期
周春良1,張 峰2,程 倫3,樊文杰1,王連成1,周芝梅1,唐曉柯1
1.北京南瑞智芯微電子科技有限公司,北京100192; 2.蘇州供電公司,江蘇 蘇州215004;3.昆山市供電公司,江蘇 昆山215300
摘要: 在分析LTE230電力無(wú)線通信系統(tǒng)的基礎(chǔ)上,針對(duì)當(dāng)前LTE230終端平臺(tái)存在的問(wèn)題,設(shè)計(jì)出一種新型的高性能、低成本、低功耗的LTE230無(wú)線通信基帶芯片。文章詳述了該芯片的結(jié)構(gòu)及其關(guān)鍵技術(shù),并結(jié)合智能電網(wǎng)配用電業(yè)務(wù)帶寬需求的2種典型應(yīng)用場(chǎng)景,提出了基于該芯片的終端實(shí)現(xiàn)方案。
中圖分類(lèi)號(hào): TN492
文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼: A
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.2015.12.012

中文引用格式: 周春良,張峰,程倫,等. LTE230無(wú)線通信基帶芯片的設(shè)計(jì)與應(yīng)用[J].電子技術(shù)應(yīng)用,2015,41(12):48-50.
英文引用格式: Zhou Chunliang,Zhang Feng,Cheng Lun,et al. Design and application of baseband chip for LTE230 wireless communication[J].Application of Electronic Technique,2015,41(12):48-50.
Design and application of baseband chip for LTE230 wireless communication
Zhou Chunliang1,Zhang Feng2,Cheng Lun3,F(xiàn)an Wenjie1,Wang Liancheng1,Zhou Zhimei1,Tang Xiaoke1
1.Beijing NARI SmartChip Microelectronics Technology Company Limited,Beijing 100192,China; 2.Suzhou Power Supply Company,Suzhou 215004,China;3.Kunshan Power Supply Company,Kunshan 215300,China
Abstract: Based on the analysis of LTE230 electric power wireless communication system,a new type of high performance , low cost and low power baseband chip for LTE230 wireless communication is designed aiming at the existing problem of current LTE230 terminal platform. The chip structure and key technology are described in detail, and combined with the two type typical application scenarios of bandwidth requirement for power distribution and utilization business in smart grid, a terminal implementation solution based on this chip is provided.
Key words : LTE230;baseband chip;LTE communication module;customer premises equipment

    

0 引言

    隨著國(guó)家智能電網(wǎng)的發(fā)展,電力業(yè)務(wù)對(duì)通信信道提出了全新、更高的要求。目前智能電網(wǎng)中遠(yuǎn)程通信主要采用光纖和無(wú)線方式。光纖由于受成本、地域等因素的限制,難以實(shí)現(xiàn)對(duì)配用電通信接入網(wǎng)的全覆蓋。無(wú)線方式作為光纖通信的有力補(bǔ)充手段,正承載著越來(lái)越多的電力通信業(yè)務(wù)。目前無(wú)線方式主要有無(wú)線公網(wǎng)和無(wú)線專(zhuān)網(wǎng)兩種方式。無(wú)線公網(wǎng)前期投資少、建設(shè)周期短、業(yè)務(wù)部署和開(kāi)展快,但隨著配用電系統(tǒng)規(guī)模的擴(kuò)大,逐漸暴露出采集成功率低、存在信息安全隱患、不同電力用戶優(yōu)先級(jí)無(wú)保障等問(wèn)題。現(xiàn)有的電力無(wú)線專(zhuān)網(wǎng)如230數(shù)傳電臺(tái)、1 800 MHz無(wú)線寬帶通信系統(tǒng)存在速率低、覆蓋能力較弱、建網(wǎng)和運(yùn)營(yíng)成本較高、與電力業(yè)務(wù)結(jié)合能力一般等諸多問(wèn)題,限制了它們?cè)谥悄茈娋W(wǎng)中進(jìn)一步的發(fā)展和推廣。新型LTE230無(wú)線通信系統(tǒng)充分利用低頻段覆蓋距離遠(yuǎn)以及4G LTE先進(jìn)技術(shù)的優(yōu)勢(shì),具有大容量、廣覆蓋、高效率、高安全性等特點(diǎn),在電力無(wú)線專(zhuān)網(wǎng)領(lǐng)域受到越來(lái)越多的關(guān)注[1]

1 系統(tǒng)分析

    LTE230電力無(wú)線通信系統(tǒng)可直接部署在230 MHz電力專(zhuān)用40個(gè)授權(quán)頻點(diǎn)上,符合國(guó)家對(duì)低頻段的技術(shù)升級(jí)改造政策,當(dāng)前LTE230電力無(wú)線通信專(zhuān)網(wǎng)已經(jīng)在北京東城區(qū)[1]、江蘇揚(yáng)州[2]、浙江海鹽[3]等多處開(kāi)展了試點(diǎn)工作,為電力通信專(zhuān)網(wǎng)建設(shè)提供了良好的借鑒意義和示范作用。這些試驗(yàn)網(wǎng)的結(jié)構(gòu)和圖1都基本類(lèi)似。在圖1中,業(yè)務(wù)平臺(tái)、監(jiān)控中心及eOMC網(wǎng)管系統(tǒng)為L(zhǎng)TE230系統(tǒng)的主站平臺(tái);EPC為核心網(wǎng), eNodeB230為基站;基站和終端通過(guò)無(wú)線的方式進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸,終端類(lèi)型主要有四種:配電終端、負(fù)控終端、用電信息采集終端(集中器、采集器、智能電表)和視頻監(jiān)控終端。前三種終端承載對(duì)通信速率要求較低的小帶寬業(yè)務(wù),最后一種承載對(duì)通信速率要求較高的大帶寬業(yè)務(wù)。這種小帶寬與大帶寬業(yè)務(wù)并存,小帶寬業(yè)務(wù)為主[1]是智能電網(wǎng)配用電業(yè)務(wù)的一個(gè)重要特點(diǎn)。

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    當(dāng)前這些LTE230試驗(yàn)網(wǎng)終端解決方案基本都是采用業(yè)界通用的CPU和DSP,外加FPGA和DDR存儲(chǔ)器的板級(jí)方案實(shí)現(xiàn)的,且針對(duì)小帶寬業(yè)務(wù)和大帶寬業(yè)務(wù)采用不同的軟硬件平臺(tái),這種終端實(shí)現(xiàn)方式存在成本高、功耗大、軟硬件維護(hù)工作量大等問(wèn)題,極大地限制了LTE230電力無(wú)線通信專(zhuān)網(wǎng)的進(jìn)一步的推廣和應(yīng)用。因此,開(kāi)發(fā)具有高性能、低成本、低功耗的LTE230無(wú)線通信基帶芯片(簡(jiǎn)稱(chēng)LTE230芯片),并在此基礎(chǔ)上開(kāi)展芯片終端產(chǎn)品的應(yīng)用研究,對(duì)于推進(jìn)電力無(wú)線通信專(zhuān)網(wǎng)的產(chǎn)業(yè)化具有重要意義。

2 芯片設(shè)計(jì)

    針對(duì)智能電網(wǎng)配用電業(yè)務(wù)大、小帶寬的特點(diǎn),在芯片設(shè)計(jì)須同時(shí)考慮高性能和低成本兩種終端的需要。

2.1 芯片結(jié)構(gòu)

    芯片整體結(jié)構(gòu)如圖2所示,采用三級(jí)AMBA總線架構(gòu):一級(jí)為64位的高帶寬AXI總線、二級(jí)為32位高性能AHB總線、三級(jí)為32位低速APB外設(shè)總線。

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    AXI總線是一個(gè)矩陣式結(jié)構(gòu),采用全聯(lián)通模式。AXI總線上主要的模塊有:DSP核、系統(tǒng)DMA、中頻IF Enginee、Turbo Decoder硬件加速器、2組嵌入式大容量存儲(chǔ)器eDRAM。

    AHB總線的設(shè)備主要包括中斷控制器DSP INTC、BootROM、SPI Flash控制器SPI_FLSCTRL,以及中頻、Turbo Decoder和DMA的寄存器配置接口。

    APB總線上的設(shè)備主要包括SPI_HOSTIF、射頻配置接口SPI_RFCFG、以太網(wǎng)接口SPI_MAC、定時(shí)器Timer、串口UART、I2C控制器、看門(mén)狗WDT、GPIO模塊、系統(tǒng)控制單元 SCU、PWM模塊。APB總上的各種SPI控制器及串口都支持DMA模式。

2.2 關(guān)鍵技術(shù)

    芯片內(nèi)部集成了高性能的DSP處理器,DSP采用哈佛結(jié)構(gòu),可同時(shí)支持4 MAC操作;DSP核內(nèi)嵌高速TCM和Cache,可有效平滑高速DSP內(nèi)核和相對(duì)低速的eDRAM存儲(chǔ)器之間讀寫(xiě)操作的訪問(wèn)延遲,使系統(tǒng)整體性能較優(yōu)。DSP內(nèi)嵌功耗管理模塊PSU(Power Scaling Unit),支持多種功耗管理模式,通過(guò)軟件指令、外部中斷及SCU的控制,可根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景需求快速的在不同的功耗管理之間進(jìn)行切換,從而滿足系統(tǒng)待機(jī)、DRX周期、低速及全速運(yùn)行等場(chǎng)景下的功耗和性能要求。

    芯片內(nèi)置高密度大容量的嵌入式存儲(chǔ)器eDRAM,eDRAM接口時(shí)序簡(jiǎn)單,讀寫(xiě)延遲小,無(wú)需復(fù)雜的控制器,面積只有普通SRAM的1/3;另外相比于外置DDR的存儲(chǔ)方式,沒(méi)有IO的功耗損失,BOM成本也較低,故在性能、功耗和成本上都有很好的兼顧。在芯片設(shè)計(jì)時(shí),考慮系統(tǒng)內(nèi)存帶寬的需求,采用兩組片內(nèi)eDRAM的方式,芯片內(nèi)的主設(shè)備如DSP,若其指令和數(shù)據(jù)分別存放在不同的eDRAM內(nèi),則可并行讀取指令和數(shù)據(jù),大大縮短了內(nèi)存訪問(wèn)延遲,提高了系統(tǒng)的性能。此外eDRAM提供了正常讀寫(xiě)、Standby、Self Refresh和power down多種功耗模式,可根據(jù)系統(tǒng)場(chǎng)景來(lái)切換。

    230 MHz頻段系統(tǒng)資源呈無(wú)規(guī)則、梳狀結(jié)構(gòu),頻點(diǎn)分布離散。芯片獨(dú)有的中頻模塊接收來(lái)自前端射頻芯片出來(lái)的數(shù)據(jù),由于頻譜的不連續(xù)性,中頻模塊將會(huì)進(jìn)行兩級(jí)混頻、下采樣及濾波操作,從射頻接收的數(shù)據(jù)中抽取出對(duì)應(yīng)頻點(diǎn)的數(shù)據(jù),經(jīng)中頻內(nèi)置的DMA模塊經(jīng)總線送到eDRAM中,同時(shí)發(fā)送中斷通知DSP來(lái)做進(jìn)一步處理。上行鏈路和下行鏈路相似,但是一個(gè)相反的過(guò)程。同時(shí)中頻模塊采用乘法器時(shí)分復(fù)用的高階數(shù)字濾波器,可對(duì)帶外的干擾信號(hào)進(jìn)行很好的抑制,以很小電路面積來(lái)保證系統(tǒng)的性能。由于芯片支持的TDD模式,收發(fā)不會(huì)同時(shí)進(jìn)行,故中頻模塊可在自身收發(fā)時(shí)序控制下采用數(shù)據(jù)流驅(qū)動(dòng)的時(shí)鐘門(mén)控技術(shù),動(dòng)態(tài)地開(kāi)關(guān)上下行數(shù)據(jù)鏈路的時(shí)鐘,以達(dá)到減少功耗的目的。

    LTE230采用和4G LTE相同的物理層信道編解碼方式,其物理層下行共享信道PDSCH采用的是Turbo碼,Turbo譯碼算法運(yùn)算量很大;同時(shí)由于LTE230須支持40個(gè)離散頻點(diǎn),依靠DSP軟譯碼的方式對(duì)MIPS要求太高,故芯片中內(nèi)置了硬件加速器Turbo Decoder。Turbo Decoder支持鏈表的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu),可在一次配置后進(jìn)行多個(gè)頻點(diǎn)、多個(gè)碼塊的譯碼操作,其間無(wú)須DSP干預(yù)。

3 芯片應(yīng)用

    針對(duì)電力大、小帶寬業(yè)務(wù)的特點(diǎn),應(yīng)用LTE230芯片,可開(kāi)發(fā)兩類(lèi)終端產(chǎn)品:LTE通信模塊(LTE Communication Module,簡(jiǎn)稱(chēng)LCM)和用戶終端設(shè)備(Customer Premises Equipment,簡(jiǎn)稱(chēng)CPE)[1]。LCM終端強(qiáng)調(diào)的是低功耗、低成本、小體積,CPE終端側(cè)重的是高性能。wdz5-t3.gif

    LCM硬件平臺(tái)如圖3所示,提供UART業(yè)務(wù)物理接口,支持的頻點(diǎn)通常為1~8個(gè),有效數(shù)據(jù)速率一般為幾十千比特每秒到一百多千比特每秒,可滿足窄帶數(shù)傳、遠(yuǎn)程控制通信等低速率的無(wú)線通信需求。

    CPE硬件平臺(tái)如圖4所示,配備UART、10/100 M自適應(yīng)以太網(wǎng)等業(yè)務(wù)物理接口,最大支持40個(gè)頻點(diǎn),上、下等峰值速率分別為1.76 Mb/s和0.71 Mb/s,主要用于承載視頻監(jiān)控等高速數(shù)據(jù)傳輸。

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    實(shí)際應(yīng)用中,90%以上的終端數(shù)量是LCM,成本和功耗是一個(gè)重要的考慮因素,在硬件實(shí)現(xiàn)時(shí)盡量簡(jiǎn)單,采用LTE230芯片+射頻RF芯片的方案。LTE230芯片的一個(gè)串口用于調(diào)試,另一個(gè)串口用來(lái)和電力終端進(jìn)行數(shù)據(jù)交換。操作系統(tǒng)和基帶處理軟件在系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí)通過(guò)BootCode從片外SPI Flash存儲(chǔ)器加載到芯片內(nèi)部的TCM和eDRAM存儲(chǔ)器中。LTE230 的DSP運(yùn)行實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)Nucleus,且其基帶處理除物理層(PHY)時(shí)域部分 (含載波聚合)是用中頻模塊硬件電路實(shí)現(xiàn)的,其余的物理層的頻域處理和比特級(jí)/符號(hào)級(jí)處理、協(xié)議層的媒體訪問(wèn)控制(MAC)和無(wú)線資源控制(RRC)[4]、網(wǎng)絡(luò)層的TCP/IP協(xié)議、射頻前端收發(fā)配置以及芯片內(nèi)外大量設(shè)備的管理都是用DSP軟件來(lái)實(shí)現(xiàn)。

    在高性能的CPE平臺(tái)中,支持的數(shù)據(jù)速率高,單DSP方案無(wú)法提高足夠的處理能力,故在LCM平臺(tái)的基礎(chǔ)上,外加一個(gè)高性能低功耗的基于ARM Cortex M3的 MCU(考慮到市場(chǎng)上MCU的成熟度及內(nèi)嵌Flash工藝的特殊性,芯片未集成MCU)。LTE230芯片專(zhuān)注于基帶物理層的處理,協(xié)議層和網(wǎng)絡(luò)層的處理由MCU來(lái)完成。MCU和DSP運(yùn)行相同實(shí)時(shí)操作系統(tǒng),通過(guò)SPI控制器交換物理層傳輸信道(Transport Channels)[4]的數(shù)據(jù)。MCU內(nèi)嵌大容量Flash存儲(chǔ)器,可用來(lái)存儲(chǔ)MCU及DSP的整個(gè)軟件系統(tǒng),無(wú)需外接SPI Flash存儲(chǔ)器。在系統(tǒng)初始化時(shí),MCU可在DSP的BootCode配合下,通過(guò)SPI接口將DSP所需軟件下載到LTE230芯片的TCM和eDRAM存儲(chǔ)器中。

4 結(jié)論

    基于LTE230無(wú)線通信基帶芯片的LCM和CPE的軟硬件平臺(tái)已進(jìn)行了初步的原型驗(yàn)證,結(jié)果表明,在成本、功耗、軟硬系統(tǒng)維護(hù)及升級(jí)便利性等方面,相比于現(xiàn)有的基于“ADI DSP+FPGA+DDR”的LCM終端平臺(tái)和基于“TI OMAP處理器+FPGA+DDR”的CPE終端平臺(tái),有著明顯的優(yōu)勢(shì),這對(duì)加速智能電網(wǎng)中LTE230電力無(wú)線通信系統(tǒng)的建設(shè)有著重要的參考意義。

參考文獻(xiàn)

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