2015 年 10 月21日 —— 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，推出采用突破性減少LED閃爍 (LFM)技術的新的230萬像素CMOS圖像傳感器樣品，為汽車先進駕駛輔助系統(ADAS)應用確立了一個新基準。AR0231AT能捕獲1080p高動態范圍 (HDR) 視頻，還具備支持汽車安全完整性等級B(ASIL B)的特性。

       LFM技術(專利申請中)消除交通信號燈和汽車LED照明的高頻LED閃爍，令交通信號閱讀算法能于所有光照條件下工作。AR0231AT具有1/2.7英寸(6.82 mm)光學格式和1928(水平) x 1208(垂直)有源像素陣列。它采用最新的3.0微米背照式(BSI)像素及安森美半導體的DR-Pix?技術，提供雙轉換增益以在所有光照條件下提升性能。它以線性、HDR或LFM模式捕獲圖像，并提供模式間的幀到幀情境切換。

       該新器件提供達4重曝光的HDR，以出色的噪聲性能捕獲超過120 dB的動態范圍。AR0231AT能同步支持多個攝相機，以易于在汽車應用中實現多個傳感器節點，和通過一個簡單的雙線串行接口實現用戶可編程性。它還有多個數據接口，包括MIPI(移動產業處理器接口)、并行和HiSPi(高速串行像素接口)。其它關鍵特性還包括可選自動化或用戶控制的黑電平控制，支持擴頻時鐘輸入和提供多色濾波陣列選擇。

       安森美半導體汽車影像和掃描分部高級總監Alvin Wong說：“安森美半導體再次彰顯其市場領導地位，是首個提供具備LFM的AR0231AT傳感器樣品的供應商。AR0231AT的獨特性是在一個230萬像素、1080p BSI圖像傳感器中支持LFM和ASIL B，標志著先進的特性結合，最適用于高性能汽車ADAS影像的產品。”

封裝和現狀

       AR0231AT采用11 mm x 10 mm iBGA-121封裝，現提供工程樣品。工作溫度范圍為-40℃至105℃(環境溫度)，將完全通過AEC-Q100認證，并將于2016年量產。

關于安森美半導體

       安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)致力于推動高能效電子的創新，使客戶能夠減少全球的能源使用。安森美半導體領先于供應基于半導體的方案，提供全面的高能效電源和信號管理、邏輯、標準及定制器件陣容。公司的產品幫助工程師解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業、醫療及軍事/航空應用的獨特設計挑戰。公司運營敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質項目，及在北美、歐洲和亞太地區之關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設計中心在內的業務網絡。