曾經(jīng)負責AMD GDDR5開發(fā)的Joe Macri，日前向硬件網(wǎng)站techreport.com透露了AMD HBM內(nèi)存細節(jié)，HBM內(nèi)存用來取代高功耗、大面積占用的GDDR5內(nèi)存。Joe Macri表示，HBM內(nèi)存在設計上非常接近GPU，同時采用3D堆疊設計。任何HBM解決方案有三個基本組成部分：一個主芯片（一個GPU，CPU或SoC），一個或多個DRAM堆棧和下方被稱為“interposer”的硅晶片，interposer完全是被動的，是沒有活性的晶體管，因為它僅作為主邏輯芯片與DRAM堆疊之間的高速數(shù)據(jù)通道。
雖然interposer是必不可少的，HBM真正令人感興趣的創(chuàng)新是堆疊存儲器。每個HBM內(nèi)存堆棧包括五個芯片：四個內(nèi)存芯片和一個邏輯芯片。這五個芯片通過稱為穿透硅通孔（TSV）垂直彼此連接。這些內(nèi)存芯片是令人難以置信的薄，只有100微米。
這些內(nèi)存芯片工作電壓1.3V，工作頻率500MHz，傳輸速率1Gbps，但是極寬的接口彌補了參數(shù)方面對GDDR5參數(shù)的劣勢，每個堆棧有1024位接口寬度，每個GDDR5芯片只有32位寬度，每個堆棧并且提供128 GB/s帶寬。
目前SK海力士正在與AMD合作生產(chǎn)HBM。
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