最近有位半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析師針對(duì)英特爾（Intel）將在下兩個(gè)制程世代使用的技術(shù)，提出了大膽且詳細(xì)的預(yù)測(cè)；如果他的預(yù)言成真，意味著芯片龍頭英特爾又將大幅超前其他半導(dǎo)體同業(yè)。

　　這位分析師David Kanter在他自己的網(wǎng)站發(fā)表一篇分析文章（參考連結(jié)），指出英特爾將會(huì)在10納米節(jié)點(diǎn)采用量子阱（quantum well） FET；這種新的電晶體架構(gòu)將會(huì)采用兩種新材料──以砷化銦鎵（indium gallium arsenide，InGaAs）制作n型電晶體，以應(yīng)變鍺（strained germanium）制作p型電晶體。

　　若預(yù)測(cè)正確，英特爾最快在2016年可開(kāi)始生產(chǎn)10納米制程電晶體，且功耗能比其他制程技術(shù)低200毫伏（millivolts）；Kanter預(yù)期，其他半導(dǎo)體制造業(yè)者 在7納米節(jié)點(diǎn)之前難以追上英特爾的技術(shù)，差距約是兩年。Kanter指出，英特爾可能還要花一年多的時(shí)間才會(huì)公布其10納米制程計(jì)劃，而他自認(rèn)其預(yù)測(cè)有八九成的準(zhǔn)確度。

　　英特爾曾在2009年的IEDM會(huì)議論文透露其正在開(kāi)發(fā)的InGaAs制程技術(shù)

　　Kanter 的分析文章是根據(jù)對(duì)英特爾在年度IEEE國(guó)際電子元件會(huì)議（IEDM）發(fā)表的數(shù)十篇篇論文研究所得，此外還有英特爾與芯片制造相關(guān)的專(zhuān)利；他在接受 EETimes美國(guó)版訪問(wèn)時(shí)表示：“我所看到的一切都朝這個(gè)方向發(fā)展；問(wèn)題應(yīng)該不在于英特爾會(huì)不會(huì)制作量子阱FET，而是他們會(huì)在10納米或7納米節(jié)點(diǎn)開(kāi)始進(jìn)行。”

　　“在電晶體通道采用復(fù)合半導(dǎo)體材料并非只有英特爾一家在研究，但顯然到目前為止沒(méi)有人做到像英特爾所發(fā)表的這么多；”Kanter指出：“英特爾在鍺材料方面的論文與專(zhuān)利很少，但該技術(shù)較廣為人知。”此外他預(yù)期英特爾會(huì)采用純鍺，不過(guò)也可能會(huì)透過(guò)先采用矽鍺 （silicon germanium）來(lái)達(dá)到該目標(biāo)。

　　Kanter并表示他在發(fā)表分析文章之前，曾提供內(nèi)容給英特爾看；不過(guò)該公司婉拒發(fā)表任何相關(guān)評(píng)論。

　　編譯：Judith Cheng

　　（參考原文： Intel‘s 10nm Secrets Predicted，by Rick Merritt）