上月底，Ziptronix公司宣布與索尼公司簽署了一份專利許可協議，將DBI混合鍵合專利技術用于索尼高級圖像傳感器。

　　這本是一則關于代工技術的小新聞，但新聞稿中這句話點亮了我：該公司首席執行官兼總裁Dan Donabedian表示，“2011年，索尼獲得了Ziptronix的ZiBond直接鍵合專利技術許可，這項技術幫助索尼的圖像傳感器的市場份額從幾個百分點擴大為市場占有率第一。”

　　索尼于 2011 年從 Ziptronix 獲得 ZiBond 技術許可之前，他們在CMOS圖像傳感器領域的市場份額不到5%。2011年獲得許可后，Sony迅速飆升至第一，目前已超過 35%。那么，問題來了，混合鍵合專利在其中承擔了多大的推動力？

　　什么是直接鍵合技術？

　　ZiBond 是專利低溫直接鍵合技術Direct Oxide Bonding，支持材料低溫鍵合，其殘余應力和變形程度比其他鍵合技術更低。

　　最近 Sony 發布的產品并未采用 ZiBond，而是采用DBI技術(Direct Bond Interconnect)，該技術支持互連材料在低溫條件下直接鍵合于鍵合面。與銅熱壓縮等競爭技術相比，該鍵合技術連接間距更小，擁有成本更低。

　　Ziptronix認為，相比硅通孔（TSV）堆疊技術，專利的混合鍵合技術有更好的使能性和成本效益。

　　3D SoC工藝流程如下所示：

　　還有誰在用ZiBond和DBI？

　　除 Sony 外，Ziptronix 為 IO Semi（現稱為 Silanna）、Tezzaron、Novati 和 IMEC 提供 ZiBond 技術許可；除 Sony 外，Ziptronix 還為 Tezzaron、Novati、IMEC 和 Raytheon 提供 DBI 技術許可。目前，Ziptronix正與其他公司研議圖像傳感器應用領域以及 DRAM 存儲器、微型投影儀和 MEMS 等其他市場領域。

　　此次與索尼的協議標志著針對大批量生產的Ziptronix直接鍵合專利將被持續的采用。那么，未來在3D IC制造中，直接鍵合工藝是否會超越TSV技術？